定價: | ¥ 79 | ||
作者: | (美)貝克(Bader,R.J.) 著,劉艷艷 等譯 | ||
出版: | 人民郵電出版社 | ||
書號: | 9787115174468 | ||
語言: | 簡體中文 | ||
日期: | 2008-04-01 | ||
版次: | 1 | 頁數: | 556 |
開本: | 16開 | 查看: | 0次 |

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本書是CMOS集成電路設計領域的一部力作,是作者20多年教學和研究成果的總結,內容涵蓋電路設計流程、EDA軟件、工藝集成、器件、模型、數字和模擬集成電路設計等諸多方面,由基礎到前沿,由淺入深,結構合理,特色鮮明。
本書對學生、科研人員和工程師各有所側重。無論對于哪一種類型的讀者而言,本書都是一本極好的參考書。
本書對學生、科研人員和工程師各有所側重。無論對于哪一種類型的讀者而言,本書都是一本極好的參考書。
第1章 CMOS設計簡介
1.1 CMOS集成電路設計流程
1.2 CMOS基礎
1.2.1 CMOS縮寫
1.2.2 CMOS倒相器
1.2.3 第一款CMOS電路
1.2.4 模擬CMOS設計
1.3 SPICE簡介
1.3.1 生成網表
1.3.2 工作點
1.3.3 傳輸函數分析
1.3.4 壓控電壓源
1.3.5 理想運算放大器
1.3.6 子電路
1.3.7 直流分析
1.3.8 繪制IV曲線
1.3.9 雙環直流分析
1.3.10 瞬態分析
1.3.11 SIN源
1.3.12 RC電路實例
1.3.13 另一種RC電路實例
1.3.14 交流分析
1.3.15 十倍頻程和倍頻程
1.3.16 分貝
1.3.17 脈沖語句
1.3.18 有限脈沖上升時間
1.3.19 階躍響應
1.3.20 RC電路的延遲與上升時間
1.3.21 分段線性源
1.3.22 仿真開關
1.3.23 電容的初始化條件
1.3.24 電感的初始化條件
1.3.25 LC回路的Q值
1.3.26 理想積分器的頻率響應
1.3.27 單位增益頻率
1.3.28 積分器的時域特性
1.3.29 收斂性
1.3.30 一些常見的錯誤和有用的技巧
延伸閱讀
習題
第2章 阱
2.1 圖形制作
2.2 N阱的版圖設計
2.3 阻值的計算
2.4 N阱/襯底二極管
2.4.1 PN結物理學簡介
2.4.2 耗盡層電容
2.4.3 存儲或擴散電容
2.4.4 SPICE建模
2.5 N阱的RC延遲
2.6 雙阱工藝
延伸閱讀
習題
第3章 金屬層
3.1 連接焊盤
3.2 用金屬層進行設計和版圖繪制
3.2.1 metal1和via1
3.2.2 與金屬層相關的寄生器件
3.2.3 電流運載極限
3.2.4 金屬層的設計規則
3.2.5 接觸電阻
3.3 串擾和地電位上跳
3.3.1 串擾
3.3.2 地電位上跳
3.4 LASI版圖設計實例
3.4.1 連接焊盤的版圖設計Ⅱ
3.4.2 金屬測試結構的版圖設計
延伸閱讀
習題
第4章 有源層和多晶硅層
第5章 電阻、電容、MOS管
第6章 MOS管工作原理
第7章 CMOS制備
第8章 電噪聲概述
第9章 模擬設計模型
第10章 數字設計模型
第11章 反相器
第12章 靜態邏輯門
第13章 鐘控電路
第14章 動態邏輯門
第15章 VLSI版圖設計舉例
第16章 存儲器電路
第17章 Δ∑調制感測
第18章 專用CMOS電路
第19章 數字鎖相環
1.1 CMOS集成電路設計流程
1.2 CMOS基礎
1.2.1 CMOS縮寫
1.2.2 CMOS倒相器
1.2.3 第一款CMOS電路
1.2.4 模擬CMOS設計
1.3 SPICE簡介
1.3.1 生成網表
1.3.2 工作點
1.3.3 傳輸函數分析
1.3.4 壓控電壓源
1.3.5 理想運算放大器
1.3.6 子電路
1.3.7 直流分析
1.3.8 繪制IV曲線
1.3.9 雙環直流分析
1.3.10 瞬態分析
1.3.11 SIN源
1.3.12 RC電路實例
1.3.13 另一種RC電路實例
1.3.14 交流分析
1.3.15 十倍頻程和倍頻程
1.3.16 分貝
1.3.17 脈沖語句
1.3.18 有限脈沖上升時間
1.3.19 階躍響應
1.3.20 RC電路的延遲與上升時間
1.3.21 分段線性源
1.3.22 仿真開關
1.3.23 電容的初始化條件
1.3.24 電感的初始化條件
1.3.25 LC回路的Q值
1.3.26 理想積分器的頻率響應
1.3.27 單位增益頻率
1.3.28 積分器的時域特性
1.3.29 收斂性
1.3.30 一些常見的錯誤和有用的技巧
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習題
第2章 阱
2.1 圖形制作
2.2 N阱的版圖設計
2.3 阻值的計算
2.4 N阱/襯底二極管
2.4.1 PN結物理學簡介
2.4.2 耗盡層電容
2.4.3 存儲或擴散電容
2.4.4 SPICE建模
2.5 N阱的RC延遲
2.6 雙阱工藝
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習題
第3章 金屬層
3.1 連接焊盤
3.2 用金屬層進行設計和版圖繪制
3.2.1 metal1和via1
3.2.2 與金屬層相關的寄生器件
3.2.3 電流運載極限
3.2.4 金屬層的設計規則
3.2.5 接觸電阻
3.3 串擾和地電位上跳
3.3.1 串擾
3.3.2 地電位上跳
3.4 LASI版圖設計實例
3.4.1 連接焊盤的版圖設計Ⅱ
3.4.2 金屬測試結構的版圖設計
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習題
第4章 有源層和多晶硅層
第5章 電阻、電容、MOS管
第6章 MOS管工作原理
第7章 CMOS制備
第8章 電噪聲概述
第9章 模擬設計模型
第10章 數字設計模型
第11章 反相器
第12章 靜態邏輯門
第13章 鐘控電路
第14章 動態邏輯門
第15章 VLSI版圖設計舉例
第16章 存儲器電路
第17章 Δ∑調制感測
第18章 專用CMOS電路
第19章 數字鎖相環