定價: | ¥ 59 | ||
作者: | (美)薩雷斯 著,白曉東 譯 | ||
出版: | 清華大學出版社 | ||
書號: | 9787302065258 | ||
語言: | 簡體中文 | ||
日期: | 2013-06-01 | ||
版次: | 1 | 頁數: | 438 |
開本: | 16開 | 查看: | 0次 |
服務商城 | 客服電話 | 配送服務 | 優惠價 | 購買 |
400-711-6699 | 滿29至69元,免運費! | ¥47.2 |
本書從介紹二端口網絡的各種常規矩陣參數入手,引出了用戶射頻到微波頻段(10MHZ-20GHZ)最有效的散射參數系統(S參數),并以散射參數形式描述有源器件的主要交流性能,例如:增益、穩定性、單向性、活度以及駐波比等。本書第4章專題討論了噪聲的處理以及有關高頻大功率器件的應用問題。每章結尾提供相當數量的習題,有利于一步了解設計的原理和方法,加深對概念的理解。書中還列舉了許多國外著名廠商典型器件的設計過程。
本書可以作為微波通信、高頻電子技術專業本科生及研究生的教材和參考書,對于從事射頻及微波電路設計的工程技術人員而言,也是一本不可多得的實用參考書。
本書可以作為微波通信、高頻電子技術專業本科生及研究生的教材和參考書,對于從事射頻及微波電路設計的工程技術人員而言,也是一本不可多得的實用參考書。
第1章 二端口網絡的表述
1.1 引言
1.2 阻抗矩陣、導納矩陣、混合矩陣和ABCD矩陣
1.3 傳輸線的概念
1.4 散射矩陣和鏈散矩陣
1.5 位移參考平面
1.6 散射參數的特性
1.7 功率波和歸一化散射參數
1.8 二端口網絡的參數轉換
1.9 散射參數的測量
1.10 晶體管的散射系數
1.11 微波晶體管的特性
11.1 雙極晶體管
11.2 場效應晶體管
第2章 匹配網絡和信號流網
2.1 引言
2.2 Smith圓圖
2.3 歸一化阻抗和導納的Smith圓圖
2.4 阻抗匹配網絡
2.5 微帶線匹配網絡
2.6 信號流圖及其應用
2.7 功率增益表達式;另一種推導過程
2.8 駐波比的計算
參考文獻
第3章 微波晶體管放大器設計
3.1 引言
3.2 功率增益議程
3.3 穩定性的設計
3.4 等增益圓族——單向情況
3.4.1 絕對穩定情況,(Sii)<1
3.4.2 潛在不穩的情況,(Sii)<1
3.5 單向優值
3.6 同時共軛匹配:雙向情況
3.7 工作功率增閃圓和可用功率增益圓
3.7.1 工作功率增益圓
3.7.2 可用功率增益圓
3.8 等駐波比VSWR圓
3.9 直流偏置網絡
3.9.1 BJT偏置網絡
3.9.2 GaAs FET的偏置網絡
參考文獻
第4章 噪聲、帶寬以及大功率設計方法
4.1 引言
4.2 二端口網絡的噪聲
4.3 等噪聲系數圓
4.4 寬帶放大器設計
4.5 放大器的調諧
4.6 帶寬分析
4.7 大功率放大器設計
4.7.1 甲類工作
4.7.2 乙類和丙類工作模式
4.7.3 互調失真
4.7.4 功率合成器
4.8 兩級放大器的設計
參考文獻
第5章 微波晶體管振蕩器設計
5.1 引言
5.2 振蕩條件
5.2.1 反饋振蒎器
5.2.2 單端口負阻振蕩器
5.3 振蕩器的結構
5.4 采用大信號測量的振蕩器設計
5.5 振蕩器的結構
5.5.1 電介質諧振腔蕩器
5.5.2 YIG振蕩器
5.5.3 變容才極管調諧振蕩器
參考文獻
附錄A 關于圓方程
A.1 圓方程:雙線性變換
A.2 輸入和輸出穩定圓的導出[式(3.3.5)和(3.3.6)
附錄B 穩定條件
B.1 第 一種推導過程
B.2 第二種推導過程
B.3 其他推導方法
參考文獻
附錄C 絕對穩定條件:K>1和B1>0
附錄D 單向管等增益圓的推導[式(3.4.10)]
附錄E 關于式(3.6.5)和式(3.6.6)
E.1對于Ims E.2 同時共軛匹配的條件
附錄F 推導Gmax(式(3.6.10))
附錄G 等工作率增益圓的推導
附錄H Fm的表達方式
附錄L 等駐波比VSWR圓
附錄J 在F和L平面上的映射
附錄K 噪聲的概念
附錄L 放大器的噪聲系數
附錄M 穩定振蕩的條件
附錄N 計算機輔助設計
參考文獻
1.1 引言
1.2 阻抗矩陣、導納矩陣、混合矩陣和ABCD矩陣
1.3 傳輸線的概念
1.4 散射矩陣和鏈散矩陣
1.5 位移參考平面
1.6 散射參數的特性
1.7 功率波和歸一化散射參數
1.8 二端口網絡的參數轉換
1.9 散射參數的測量
1.10 晶體管的散射系數
1.11 微波晶體管的特性
11.1 雙極晶體管
11.2 場效應晶體管
第2章 匹配網絡和信號流網
2.1 引言
2.2 Smith圓圖
2.3 歸一化阻抗和導納的Smith圓圖
2.4 阻抗匹配網絡
2.5 微帶線匹配網絡
2.6 信號流圖及其應用
2.7 功率增益表達式;另一種推導過程
2.8 駐波比的計算
參考文獻
第3章 微波晶體管放大器設計
3.1 引言
3.2 功率增益議程
3.3 穩定性的設計
3.4 等增益圓族——單向情況
3.4.1 絕對穩定情況,(Sii)<1
3.4.2 潛在不穩的情況,(Sii)<1
3.5 單向優值
3.6 同時共軛匹配:雙向情況
3.7 工作功率增閃圓和可用功率增益圓
3.7.1 工作功率增益圓
3.7.2 可用功率增益圓
3.8 等駐波比VSWR圓
3.9 直流偏置網絡
3.9.1 BJT偏置網絡
3.9.2 GaAs FET的偏置網絡
參考文獻
第4章 噪聲、帶寬以及大功率設計方法
4.1 引言
4.2 二端口網絡的噪聲
4.3 等噪聲系數圓
4.4 寬帶放大器設計
4.5 放大器的調諧
4.6 帶寬分析
4.7 大功率放大器設計
4.7.1 甲類工作
4.7.2 乙類和丙類工作模式
4.7.3 互調失真
4.7.4 功率合成器
4.8 兩級放大器的設計
參考文獻
第5章 微波晶體管振蕩器設計
5.1 引言
5.2 振蕩條件
5.2.1 反饋振蒎器
5.2.2 單端口負阻振蕩器
5.3 振蕩器的結構
5.4 采用大信號測量的振蕩器設計
5.5 振蕩器的結構
5.5.1 電介質諧振腔蕩器
5.5.2 YIG振蕩器
5.5.3 變容才極管調諧振蕩器
參考文獻
附錄A 關于圓方程
A.1 圓方程:雙線性變換
A.2 輸入和輸出穩定圓的導出[式(3.3.5)和(3.3.6)
附錄B 穩定條件
B.1 第 一種推導過程
B.2 第二種推導過程
B.3 其他推導方法
參考文獻
附錄C 絕對穩定條件:K>1和B1>0
附錄D 單向管等增益圓的推導[式(3.4.10)]
附錄E 關于式(3.6.5)和式(3.6.6)
E.1對于Ims
附錄F 推導Gmax(式(3.6.10))
附錄G 等工作率增益圓的推導
附錄H Fm的表達方式
附錄L 等駐波比VSWR圓
附錄J 在F和L平面上的映射
附錄K 噪聲的概念
附錄L 放大器的噪聲系數
附錄M 穩定振蕩的條件
附錄N 計算機輔助設計
參考文獻