定價: | ¥ 42 | ||
作者: | 高建軍 著 | ||
出版: | 電子工業出版社 | ||
書號: | 9787121037542 | ||
語言: | 簡體中文 | ||
日期: | 2007-01-01 | ||
版次: | 1 | 頁數: | 277 |
開本: | 16開 | 查看: | 0次 |

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本書是作者多年來在微波和光通信技術領域工作、學習、研究和教學過程中獲得知識和經驗的總結。本書主要研究內容包括微波信號網絡矩陣技術和噪聲網絡矩陣技術,和依此為基礎的場效應晶體管射頻微波建模和測試技術。其中,微波射頻場效應晶體管小信號等效電路模型,大信號非線性等效電路模型和噪聲模型,以及模型參數的提取技術是本書的重點。
本書可以作為微波專業和電路與系統專業的高年級本科生和研究生教材,也可以供從事集成電路設計的科研人員參考。
本書可以作為微波專業和電路與系統專業的高年級本科生和研究生教材,也可以供從事集成電路設計的科研人員參考。
第1章 緒論
1.1 III-V族化合物半導體器件及集成電路應用背景
1.2 射頻微波器件和電路的計算機輔助設計
1.3 本書的目標和結構
參考文獻
第2章 微波網絡信號和噪聲矩陣技術
2.1 二端口網絡的信號參數矩陣
2.2 微波網絡S參數和T參數矩陣
2.3 微波網絡噪聲矩陣技術
2.4 二端口網絡的互聯
2.5 三端口網絡和二端口網絡之間的關系
2.6 二端口網絡的信號流程圖
2.7 典型的Π型和T型網絡
本章小結
參考文獻
第3章 場效應晶體管小信號等效電路模型和參數提取技術
3.1 HEMT器件工作原理
3.2 FET器件小信號等效電路模型
3.3 典型的PHEMT器件結構
3.4 PAD電容提取技術
3.5 寄生電感提取技術
3.6 寄生電阻提取技術
3.7 本征元件提取技術
3.8 改進的反向截止方法
3.9 小信號等效電路模型參數和器件柵寬的比例關系
3.10 半分析模型參數提取技術
本章小結
參考文獻
第4章 場效應晶體管非線性等效電路模型及參數提取技術
第5章 場效應晶體管噪聲等效電路模型及參數提取技術
第6章 FET器件神經網絡建模技術
1.1 III-V族化合物半導體器件及集成電路應用背景
1.2 射頻微波器件和電路的計算機輔助設計
1.3 本書的目標和結構
參考文獻
第2章 微波網絡信號和噪聲矩陣技術
2.1 二端口網絡的信號參數矩陣
2.2 微波網絡S參數和T參數矩陣
2.3 微波網絡噪聲矩陣技術
2.4 二端口網絡的互聯
2.5 三端口網絡和二端口網絡之間的關系
2.6 二端口網絡的信號流程圖
2.7 典型的Π型和T型網絡
本章小結
參考文獻
第3章 場效應晶體管小信號等效電路模型和參數提取技術
3.1 HEMT器件工作原理
3.2 FET器件小信號等效電路模型
3.3 典型的PHEMT器件結構
3.4 PAD電容提取技術
3.5 寄生電感提取技術
3.6 寄生電阻提取技術
3.7 本征元件提取技術
3.8 改進的反向截止方法
3.9 小信號等效電路模型參數和器件柵寬的比例關系
3.10 半分析模型參數提取技術
本章小結
參考文獻
第4章 場效應晶體管非線性等效電路模型及參數提取技術
第5章 場效應晶體管噪聲等效電路模型及參數提取技術
第6章 FET器件神經網絡建模技術