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| 定價： | ￥ 149 | ||
| 作者： | （美）烏爾里奇·L.·羅德，（德）魯?shù)婪颉≈瑥堄衽d，文繼國 譯 | ||
| 出版： | 電子工業(yè)出版社 | ||
| 書號： | 9787121231230 | ||
| 語言： | 簡體中文 | ||
| 日期： | 2014-05-01 | ||
| 版次： | 1 | 頁數(shù)： | 752 |
| 開本： | 16開 | 查看： | 0次 |
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本書是《無線應用射頻與微波電路設計》的第二版。全書共6章。第1章概述了調制類型和無線收發(fā)系統(tǒng)。第2章深入討論二極管、雙極晶體管和各類場效應管的模型和參數(shù)提取。第3章講解了射頻微波電路中應用最廣泛的“放大器設計”，是本書的重點之一，涉及噪聲、寬帶匹配、高功率、線性化等放大器的諸多知識點和設計方法。本版增加了放大器線性化方案和射頻CMOS放大器的內容，以適應當前電子技術發(fā)展的趨勢。第4章詳細分析了無源和有源混頻器。第5章闡述了射頻振蕩器原理，從理論上深入分析了相位噪聲的產(chǎn)生機理，并且討論高Q振蕩器，還給出了大量成熟的實際電路。第6章講述了射頻微波頻率合成器，重點闡述整數(shù)N分頻PLL頻率合成，對分數(shù)N分頻PLL方法和DDS也有一定深度的分析。
第1章 無線電路設計基礎
1．1 概述
1．2 系統(tǒng)功能
1．3 無線信道和調制要求
1．3．1 引言
1．3．2 信道沖激響應
1．3．3 多普勒效應
1．3．4 傳遞函數(shù)
1．3．5 信道沖激響應的時變特性和傳遞函數(shù)的時變特性
1．3．6 研究總結
1．3．7 無線信號舉例：GSM中的TDMA系統(tǒng)
1．3．8 從GSM到UMTS再到LTE的發(fā)展
1．4 關于比特、符號和波形
1．4．1 引言
1．4．2 數(shù)字調制技術基礎
1．5 無線系統(tǒng)分析
1．5．1 模擬與數(shù)字接收機設計
1．5．2 發(fā)射機
1．6 框圖組成
1．7 系統(tǒng)性能及其與電路設計的關系
1．7．1 系統(tǒng)噪聲和噪聲基底
1．7．2 系統(tǒng)的幅度特性和相位特性
1．8 測試
1．8．1 引言
1．8．2 發(fā)射和接收質量
1．8．3 基站仿真
1．8．4 GSM
1．8．5 DECT
1．9 C/N或SNR到Eb/N0的變換
參考文獻
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第2章 有源器件模型
2．1 二極管
2．1．1 大信號二極管模型
2．1．2 混頻二極管和檢波二極管
2．1．3 PIN二極管
2．1．4 變容二極管
2．2 雙極型晶體管
2．2．1 晶體管的結構類型
2．2．2 雙極晶體管的大信號性能
2．2．3 正向有源區(qū)的大信號晶體管
2．2．4 采用異質結構提高射頻性能
2．2．5 集電極電壓對BJT管正向有源區(qū)的大信號特性的影響
2．2．6 HBT處于正向有源區(qū)時集電極的電流和電壓對大信號特性的影響
2．2．7 飽和區(qū)和反向有源區(qū)
2．2．8 自熱
2．2．9 雙極型晶體管的小信號模型
2．3 場效應管
2．4 結型場效應管的大信號性能
2．4．1 JFET的小信號特性
2．4．2 MOSFET的大信號特性
2．4．3 MOS場效應管處于飽和區(qū)時的小信號模型
2．4．4 場效應管的短溝道效應
2．4．5 MOSFET場效應管的小信號模型
2．4．6 III-V材料的MESFET場效應管和HEMT場效應管
2．4．7 GaAs MESFET和HEMT的小信號模型
2．5 有源器件的參數(shù)提取
2．5．1 概述
2．5．2 典型的SPICE參數(shù)
2．5．3 噪聲建模
2．5．4 器件模型的縮放因子
2．5．5 建立“參數(shù)提取”的數(shù)據(jù)庫
2．5．6 結論
2．5．7 器件庫
2．5．8 MESFET管的物理模型
2．5．9 實例：改進BRF193W模型
參考文獻
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第3章 基于BJT與FET的放大器設計
3．1 放大器的特性
3．1．1 引言
3．1．2 增益
3．1．3 噪聲系數(shù)（NF）
3．1．4 線性特性
3．1．5 自動增益控制（AGC）
3．1．6 偏置和電源電壓與電流（功耗）
3．2 放大器的增益、穩(wěn)定性和匹配
3．2．1 S參數(shù)關系
3．2．2 低噪聲放大器
3．2．3 高增益放大器
3．2．4 低電壓集電極開路設計
3．2．5 靈活匹配電路
3．3 單級反饋放大器
3．3．1 無損耗或無噪反饋
3．3．2 寬帶匹配
3．4 兩級放大器
3．5 三級或多級放大器
3．5．1 多級放大器的穩(wěn)定性
3．6 一種壓控調諧濾波器的新方法及其CAD確認
3．6．1 二極管性能
3．6．2 VHF例子
3．6．3 HF/VHF壓控濾波器
3．6．4 改善VHF濾波器
3．6．5 總結
3．7 差動放大器
3．8 二倍頻器
3．9 有自動增益控制（AGC）的多級放大器
3．10 偏置
3．10．1 RF偏置
3．10．2 直流偏置
3．10．3 集成放大器的直流偏置電路
3．11 推挽/并聯(lián)放大器
3．12 功率放大器
3．12．1 實例1：輸出為7W的1．6GHz C類BJT功率放大器
3．12．2 例子：高效率3．5GHz逆F類GaN HEMT功率放大器
3．12．3 線性放大器系統(tǒng)
3．12．4 用于射頻功率晶體管的阻抗匹配網(wǎng)絡
3．12．5 實例2：使用分布元件的低噪聲放大器
3．12．6 實例3：用CLY15的1W放大器
3．12．7 實例4：430MHz、90W推挽BJT放大器
3．12．8 能改善線性度的準并聯(lián)晶體管
3．12．9 分配放大器
3．12．10 功率放大器的穩(wěn)定性分析
參考文獻
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第4章 混頻器設計
4．1 概述
4．2 混頻器的性質
4．2．1 變頻增益（損耗）
4．2．2 噪聲系數(shù)
4．2．3 線性
4．2．4 本振激勵電平
4．2．5 端口間隔離度
4．2．6 端?
4．2．7 直流失調
4．2．8 直流極性
4．2．9 功率消耗
4．3 二極管混頻器
4．3．1 單二極管混頻器
4．3．2 單平衡混頻器
4．3．3 二極管環(huán)形混頻器
4．4 晶體管混頻器
4．4．1 BJT希爾伯特單元
4．4．2 帶反饋的BJT希爾伯特單元
4．4．3 FET混頻器
4．4．4 MOSFET希爾伯特單元
4．4．5 GaAs FET單柵開關－阻性混頻器
參考文獻
推薦讀物
第5章 射頻無線振蕩器
5．1 頻率控制概述
5．2 背景
5．3 振蕩器設計
5．3．1 振蕩器基礎
5．4 振蕩器電路
5．4．1 Hartley（哈特利）
5．4．2 Colpitts（科耳皮茲）
5．4．3 Clapp-Gouriet（克拉普-考瑞特）
5．5 射頻（RF）振蕩器設計
5．5．1 晶體管振蕩器總體構思
5．5．2 雙口微波/射頻振蕩器設計
5．5．3 陶瓷諧振器振蕩器
5．5．4 使用微帶電感作為振蕩器的諧振器
5．5．5 哈特利微帶諧振器振蕩器
5．5．6 晶體振蕩器
5．5．7 壓控振蕩器
5．5．8 調諧二極管諧振電路
5．5．9 實用電路
5．6 振蕩器中的噪聲
5．6．1 振蕩器相位噪聲計算的線性化方法
5．6．2 基于反饋模型的相位噪聲分析
5．6．3 AM-PM轉換
5．6．4 數(shù)值優(yōu)化振蕩器
5．7 實際使用中的振蕩器
5．7．1 振蕩器的指標
5．7．2 更實際的電路
5．8 集成和毫米波振蕩器相位噪聲的改善
5．8．1 概述
5．8．2 噪聲分析回顧
5．8．3 工作環(huán)境
5．8．4 減小閃爍噪聲
5．8．5 集成振蕩器的應用
5．8．6 總結
參考文獻
令人感興趣的專利
推薦讀物
第6章 射頻頻率合成器
6．1 引言
6．2 鎖相環(huán)（PLL）
6．2．1 PLL基礎
6．2．2 相位頻率比較器
6．2．3 提供電壓輸出的鑒相器的濾波器
6．2．4 基于電荷泵的鎖相環(huán)
6．3 應用CAD進行實際的PLL設計
6．4 分數(shù)N分頻鎖相頻率合成
6．4．1 分數(shù)N分頻原理
6．4．2 雜散抑制技術
6．5 直接數(shù)字合成
參考文獻
令人感興趣的專利
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粵公網(wǎng)安備 44030902003195號