物理學(xué)報(bào)  2002, Vol. 51  Issue (2): 439-443

陸新華1, 辛煜2, 寧兆元2, 程珊華2, 甘肇強(qiáng)2, 黃松2
(1)蘇州大學(xué)化學(xué)系,蘇州215006; (2)蘇州大學(xué)物理系薄膜材料實(shí)驗(yàn)室,蘇州215006
 
摘要： 改變CHF3CH4源氣體流量比,使用微波電子回旋共振化學(xué)氣相沉積方法(ECRCVD)制備了具有不同C—F鍵結(jié)構(gòu)的aC:F:H薄膜,著重研究了退火對其結(jié)構(gòu)的影響.結(jié)果顯示薄膜的厚度及其光學(xué)帶隙E04隨退火溫度的上升均呈現(xiàn)了不同程度的下降.借助于紅外吸收光譜和所提出的熱解模型解釋了產(chǎn)生這種關(guān)系的結(jié)構(gòu)上的根源.

引用本文:   
辛煜,寧兆元,程珊華 等 . ECR-CVD法制備的a-C:F:H薄膜在N2氣氛中的熱退火研究. 物理學(xué)報(bào), 2002, 51(2): 443. 
Cite this article:   
$author.xingMing_EN,$author.xingMing_EN,$author.xingMing_EN et al. . Acta Phys. Sin., 2002, 51(2): 439-443. 

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