物理學報  2002, Vol. 51  Issue (2): 439-443

陸新華1, 辛煜2, 寧兆元2, 程珊華2, 甘肇強2, 黃松2
(1)蘇州大學化學系,蘇州215006; (2)蘇州大學物理系薄膜材料實驗室,蘇州215006
 
摘要： 改變CHF3CH4源氣體流量比,使用微波電子回旋共振化學氣相沉積方法(ECRCVD)制備了具有不同C—F鍵結構的aC:F:H薄膜,著重研究了退火對其結構的影響.結果顯示薄膜的厚度及其光學帶隙E04隨退火溫度的上升均呈現了不同程度的下降.借助于紅外吸收光譜和所提出的熱解模型解釋了產生這種關系的結構上的根源.

引用本文:   
辛煜,寧兆元,程珊華 等 . ECR-CVD法制備的a-C:F:H薄膜在N2氣氛中的熱退火研究. 物理學報, 2002, 51(2): 443. 
Cite this article:   
$author.xingMing_EN,$author.xingMing_EN,$author.xingMing_EN et al. . Acta Phys. Sin., 2002, 51(2): 439-443. 

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