物理學(xué)報(bào)  2002, Vol. 51  Issue (11): 2640-2643

王響英1, 葉超2, 寧兆元2, 程珊華2
(1)蘇州大學(xué)基礎(chǔ)醫(yī)學(xué)系,蘇州21500; (2)蘇州大學(xué)物理系,蘇州215006
 
Wang Xiang-Ying1, Ye Chao2, Ning Zhao-Yuan2, Cheng Shan-Hua2

摘要： 研究了CHF3C6H6沉積的氟化非晶碳(αC∶F)薄膜的光學(xué)帶隙.發(fā)現(xiàn)αC∶F薄膜光學(xué)帶隙的大小取決于薄膜中C—F,CC的相對(duì)含量.這是由于CC形成的窄帶隙π鍵和C—F形成的寬帶隙σ鍵含量的相對(duì)變化,改變了帶邊態(tài)密度分布的結(jié)果.在微波功率為140—700W、沉積氣壓為01—10Pa、源氣體CHF3∶C6H6流量比為1∶1—10∶1條件下沉積的αC∶F薄膜,光學(xué)帶隙在176—398eV之間

引用本文:   
葉超,寧兆元,程珊華 等 . 氟化非晶碳薄膜的光學(xué)帶隙分析. 物理學(xué)報(bào), 2002, 51(11): 2643. 
Cite this article:   
Ye Chao,Ning Zhao-Yuan,Cheng Shan-Hua et al. . Acta Phys. Sin., 2002, 51(11): 2640-2643. 

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