物理學(xué)報(bào)  2002, Vol. 51  Issue (11): 2635-2639
陸新華1, 黃松2, 辛煜2, 寧兆元2, 程珊華2
(1)蘇州大學(xué)分析測(cè)試中心,蘇州215006; (2)蘇州大學(xué)物理系,蘇州215006;
 
Lu Xin-Hua1, Huang Song2, Xin Yu2, Ning Zhao-Yuan2, Cheng Shan-Hua2

摘要： 使用C2H2和CHF3的混合氣體,在改變微波功率的條件下,利用微波電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法制備了氟化非晶碳薄膜(aC∶F).薄膜的傅里葉變換紅外光譜分析結(jié)果表明:薄膜中的CC與C—F鍵含量的比值隨功率的增加而相應(yīng)地增大;借助于紫外可見光譜分析發(fā)現(xiàn),薄膜的光學(xué)帶隙隨功率的增大而減小.由此推斷微波輸入功率的提高有助于增強(qiáng)薄膜的交聯(lián)結(jié)構(gòu).aC∶F薄膜的交流電導(dǎo)與x射線光電子能譜進(jìn)一步證實(shí)了這種增強(qiáng)效應(yīng)

引用本文:   
黃松,辛煜,寧兆元 等 . 微波輸入功率引起a-C∶F薄膜交聯(lián)結(jié)構(gòu)的增強(qiáng). 物理學(xué)報(bào), 2002, 51(11): 2639. 
Cite this article:   
Huang Song,Xin Yu,Ning Zhao-Yuan et al. . Acta Phys. Sin., 2002, 51(11): 2635-2639. 

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