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微波輸入功率引起a-C∶F薄膜交聯結構的增強

2013-03-13 我要評論(0) 字號:
主題資源: 微波功率
資料語言: 簡體中文
資料類別: PDF文檔
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更新時間: 2013-03-13 14:58:04
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資料簡介

物理學報  2002, Vol. 51  Issue (11): 2635-2639
陸新華1, 黃松2, 辛煜2, 寧兆元2, 程珊華2
(1)蘇州大學分析測試中心,蘇州215006; (2)蘇州大學物理系,蘇州215006;
 
Lu Xin-Hua1, Huang Song2, Xin Yu2, Ning Zhao-Yuan2, Cheng Shan-Hua2

摘要: 使用C2H2和CHF3的混合氣體,在改變微波功率的條件下,利用微波電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積方法制備了氟化非晶碳薄膜(aC∶F).薄膜的傅里葉變換紅外光譜分析結果表明:薄膜中的CC與C—F鍵含量的比值隨功率的增加而相應地增大;借助于紫外可見光譜分析發現,薄膜的光學帶隙隨功率的增大而減小.由此推斷微波輸入功率的提高有助于增強薄膜的交聯結構.aC∶F薄膜的交流電導與x射線光電子能譜進一步證實了這種增強效應

引用本文:   
黃松,辛煜,寧兆元 等 . 微波輸入功率引起a-C∶F薄膜交聯結構的增強. 物理學報, 2002, 51(11): 2639. 
Cite this article:   
Huang Song,Xin Yu,Ning Zhao-Yuan et al. . Acta Phys. Sin., 2002, 51(11): 2635-2639. 

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