| 資料語言： | 簡體中文 |
| 資料類別： | PDF文檔 |
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| 更新時間： | 2013-03-14 09:39:22 |
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物理學報 2001, Vol. 50 Issue (4): 779-783
賀德衍
蘭州大學物理系,蘭州730000
CONTROL OF THE SURFACE REACTIONS DURING THE LOW-TEMPERATURE GROWTH OF POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS
HE DE-YAN
摘要： 報道用SiF4和H2的間接微波等離子體化學氣相沉積方法低溫生長多晶硅(poly-Si)薄膜.實驗發(fā)現,等離子體中的離子、荷電集團對薄膜生長表面的轟擊是影響薄膜結晶質量的重要因素之一.通過外加偏壓抑制這些荷電粒子的動能是控制表面生長反應、制備高質量ploy-Si薄膜的有效方法.在合適的外加偏壓下制備的poly-Si薄膜,氫含量僅約為0.9at%,中心位于520cm-1的Raman特征峰半高寬約為4.4cm-1.
引用本文:
賀德衍. 多晶硅薄膜低溫生長中的表面反應控制. 物理學報, 2001, 50(4): 783.
Cite this article:
HE DE-YAN. CONTROL OF THE SURFACE REACTIONS DURING THE LOW-TEMPERATURE GROWTH OF POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS. Acta Phys. Sin., 2001, 50(4): 779-783.
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