| 資料語言： | 簡體中文 |
| 資料類別： | PDF文檔 |
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| 更新時間： | 2013-03-15 08:58:06 |
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物理學報 2001, Vol. 50 Issue (12): 2452-2455
胡穎
首都師范大學物理系,北京100037
SiC NANOWIRES GROWN ON SILICON(100) WAFER BY MPCVD METHOD
HU YING
摘要： 應用微波等離子體化學氣相沉積方法,在單晶Si(100)襯底上生長出SiC納米線.應用掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡、能量損失譜(EDS)和選區電子衍射(SAD)等方法對納米線化學組成和結構進行了分析和表征.給出該納米線的生長機理
引用本文:
胡穎. 微波等離子體化學氣相沉積方法在Si襯底上生長SiC納米線. 物理學報, 2001, 50(12): 2455.
Cite this article:
HU YING. SiC NANOWIRES GROWN ON SILICON(100) WAFER BY MPCVD METHOD. Acta Phys. Sin., 2001, 50(12): 2452-2455.
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