物理學(xué)報  2000, Vol. 49  Issue (10): 2041-2046

程珊華, 寧兆元, 康 健, 馬春蘭, 葉 超
蘇州大學(xué)物理系，蘇州 215006
EFFECTS OF DEPOSITION TEMPERATURE ON ELECTRICAL PROPERTIES OF HYDROGENATED AMORP HOUS CARBON FILMS
CHENG SHAN-HUA, NING ZHAO-YUAN, KAN JIAN, MA CHUN-LAN, YE CHAO

摘要： 用苯作為源氣體，使用微波電子回旋共振(ECR)等離子體氣相沉積法在不同溫度下制備了含 氫非晶碳薄膜，研究了沉積溫度對薄膜的直流電阻率、擊穿場強的影響，發(fā)現(xiàn)它們與沉積速 率密切相關(guān).測量了薄膜的含氫量與Raman譜,利用Angus等人提出的隨機共價網(wǎng)絡(luò)模型對結(jié)果 作了分析.

引用本文:   
程珊華,寧兆元,康 健 等 . 沉積溫度對含氫非晶碳膜電學(xué)性質(zhì)的影響. 物理學(xué)報, 2000, 49(10): 2046. 
Cite this article:   
CHENG SHAN-HUA,NING ZHAO-YUAN,KAN JIAN et al. EFFECTS OF DEPOSITION TEMPERATURE ON ELECTRICAL PROPERTIES OF HYDROGENATED AMORP HOUS CARBON FILMS. Acta Phys. Sin., 2000, 49(10): 2041-2046. 

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