SJ 2748-1987 微波低噪聲單柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范
資料語言: | 簡(jiǎn)體中文 |
資料類別: | PDF文檔 |
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評(píng)論等級(jí): | |
更新時(shí)間: | 2013-06-21 16:17:38 |
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- 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):SJ 2748-1987
- 標(biāo)準(zhǔn)名稱:微波低噪聲單柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范
- 行業(yè)分類:電子標(biāo)準(zhǔn)(SJ)
- 中標(biāo)分類:技術(shù)管理(F01)
- ICS分類:-
- 標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介:本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制訂微波低噪聲單柵場(chǎng)效應(yīng)品體管詳細(xì)規(guī)范的基本原則,制訂該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范一致。
- 英文名稱:Blank detail specification for single-gate low noise microwave FETs
- 發(fā)布部門:中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部
- 發(fā)布日期:1987-02-10
- 實(shí)施日期:1987-10-01
- 首發(fā)日期:-
- 提出單位:-
- 歸口單位:-
- 主管部門:-
- 起草單位:電子工業(yè)部第五十五研究所
- 起草人:-
- 計(jì)劃單號(hào):-
- 頁數(shù):9頁
- 出版社:電子工業(yè)出版社
- 出版日期:1987-09-01
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