由中國電子學會半導體與集成技術分會、電子材料分會主辦，河南大學承辦的第十七屆全國化合物半導體材料、微波器件和光電器件學術會議將于2012年11月7日至9日在歷史文化名城河南省開封市召開。會議將邀請國內外知名學者就化合物半導體材料、微波器件和光電器件等有關學術領域的前沿熱點問題進行交流、總結和展望。我們由衷的歡迎國內外廣大學者和科研人員踴躍投稿并參加會議，同時歡迎相關設備、儀器制造等科研人員參會交流和發布相關產品或設備的展覽和宣傳。
 
（一）特別提醒：

會議時間：2012年11月6日注冊，7-9日會議交流；
會議地點：汴京飯店（地址：開封市東大街109號）；
參觀考察：會議期間將組織開封市內、少林寺、龍門石窟（洛陽）二日游。
 
（二）重要日期：

1、論文投稿截止日期：2012年10月15日
2、提前注冊截止日期：2012年10月20日（注冊費減免200元）

（三）征文范圍：

1、GaAs、InP等化合物半導體材料、微波器件及光電器件；
2、 寬帶隙化合物半導體（GaN、SiC、ZnO等）材料、性質及器件應用；
3、 硅基異質結構材料（如GeSi/Si、GaN/Si等）制備、器件及光電集成技術；
4、 納米（低維）半導體材料、性質及量子器件；
5、 磁性半導體材料的制備、性質及器件應用；
6、 化合物半導體微波器件和微波集成電路的設計、制造工藝和測試；
7、 化合物半導體光電器件和光電集成電路的設計、制造工藝和測試；
8、 化合物半導體微波器件及光電器件制造的其它相關技術，如耦合封裝等；
9、 化合物半導體微波器件和光電器件的可靠性和失效分析；
10、 化合物半導體微波器件和光電器件及系統的應用；
11、 新型化合物半導體材料制備、性質及器件應用；
12、 化合物半導體材料的微結構、表面、界面行為以及生長動力學研究；
13、 化合物半導體和薄膜材料的先進生長設備和測試分析儀器研制；
14、 化合物半導體和器件制備相關的基礎材料（如金屬有機源、金屬源等）；
15、化合物半導體和薄膜材料的表征和測試分析技術；
16、 半導體白光照明材料、器件及應用技術；
17、 其它（如稀土、有機半導體等）半導體材料、性質及器件應用；
18、化合物半導體敏感材料、制備、表征及應用；
19、化合物半導體微、納電子及光電子器件制造、表征及應用；
20、太陽能電池材料、器件性能表征及應用。
  
（四）論文要求：

1、論文力求反映國內外最新研究方向和成果，數據準確，論述嚴謹，結論明確，尚未在國內外公開刊物或其它學術會議上發表過，論文全文經審稿錄用后將收入會議論文集。
2、優秀論文將推薦發表在SCI收錄期刊Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics雜志和EI收錄期刊《發光學報》上。
 
（五）稿件內容分類：

請將稿件分為四大類，以便于匯集和編輯：
1、材料生長與表征，類別代碼：MGC
2、高頻、高功率電子器件，類別代碼：ED
3、發光器件和光電探測器件，類別代碼：OED
4、設備、系統和應用，類別代碼：ES

論文投稿請先從會議網站注冊，然后上傳，并在文章的顯著部位標明類別代碼。收到論文后，我們將及時通過注冊的電子郵件及時給您確認。
 
（六）會議注冊費用：（包括代表證、會議資料、晚宴、工作餐、茶歇等）

注冊費	提前注冊 2012年10月20日前	10月20日后及現場注冊
普通代表	1200人民幣	1500人民幣
學生代表	1000人民幣	1200人民幣

  
（七）參觀考察：

開封市內：清明上河園（以北宋著名畫家張擇端的傳世名作《清明上河圖》為藍本修建的仿宋大型主題公園）、包公祠（宋代清官包拯紀念地）、鐵塔（天下第一塔）、龍亭（北宋皇宮），以及開封市周邊少林寺（少林武術館，武術表演，禪宗祖庭，天下第一名剎、中國最大的古墓建筑群少林寺塔林）和洛陽（中國最大的皇家石刻藝術：龍門石窟）。
 
（八）會議聯系：

主任：張偉風教授
聯系人：張楊：電話（13937853831）；張新安：電話（13837878278）