第十七屆全國化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議
主辦單位: | 中國電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)、電子材料分會(huì) |
承辦單位: | 河南大學(xué) |
展會(huì)日期: | 2012-11-7 至 2012-11-9 |
舉辦地址: | 汴京飯店(地址:開封市東大街109號(hào)) |
關(guān)注次數(shù): | 0 |
官方網(wǎng)站: | http://csmo2012.net |
![第十七屆全國化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議](http://www.letsgo8.com.cn/uploadfile/2012/1003/20121003112939439.jpg)
由中國電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)、電子材料分會(huì)主辦,河南大學(xué)承辦的第十七屆全國化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議將于2012年11月7日至9日在歷史文化名城河南省開封市召開。會(huì)議將邀請(qǐng)國內(nèi)外知名學(xué)者就化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件等有關(guān)學(xué)術(shù)領(lǐng)域的前沿?zé)狳c(diǎn)問題進(jìn)行交流、總結(jié)和展望。我們由衷的歡迎國內(nèi)外廣大學(xué)者和科研人員踴躍投稿并參加會(huì)議,同時(shí)歡迎相關(guān)設(shè)備、儀器制造等科研人員參會(huì)交流和發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品或設(shè)備的展覽和宣傳。
(一)特別提醒:
會(huì)議時(shí)間:2012年11月6日注冊(cè),7-9日會(huì)議交流;
會(huì)議地點(diǎn):汴京飯店(地址:開封市東大街109號(hào));
參觀考察:會(huì)議期間將組織開封市內(nèi)、少林寺、龍門石窟(洛陽)二日游。
(二)重要日期:
1、論文投稿截止日期:2012年10月15日
2、提前注冊(cè)截止日期:2012年10月20日(注冊(cè)費(fèi)減免200元)
(三)征文范圍:
1、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體材料、微波器件及光電器件;
2、 寬帶隙化合物半導(dǎo)體(GaN、SiC、ZnO等)材料、性質(zhì)及器件應(yīng)用;
3、 硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料(如GeSi/Si、GaN/Si等)制備、器件及光電集成技術(shù);
4、 納米(低維)半導(dǎo)體材料、性質(zhì)及量子器件;
5、 磁性半導(dǎo)體材料的制備、性質(zhì)及器件應(yīng)用;
6、 化合物半導(dǎo)體微波器件和微波集成電路的設(shè)計(jì)、制造工藝和測(cè)試;
7、 化合物半導(dǎo)體光電器件和光電集成電路的設(shè)計(jì)、制造工藝和測(cè)試;
8、 化合物半導(dǎo)體微波器件及光電器件制造的其它相關(guān)技術(shù),如耦合封裝等;
9、 化合物半導(dǎo)體微波器件和光電器件的可靠性和失效分析;
10、 化合物半導(dǎo)體微波器件和光電器件及系統(tǒng)的應(yīng)用;
11、 新型化合物半導(dǎo)體材料制備、性質(zhì)及器件應(yīng)用;
12、 化合物半導(dǎo)體材料的微結(jié)構(gòu)、表面、界面行為以及生長動(dòng)力學(xué)研究;
13、 化合物半導(dǎo)體和薄膜材料的先進(jìn)生長設(shè)備和測(cè)試分析儀器研制;
14、 化合物半導(dǎo)體和器件制備相關(guān)的基礎(chǔ)材料(如金屬有機(jī)源、金屬源等);
15、化合物半導(dǎo)體和薄膜材料的表征和測(cè)試分析技術(shù);
16、 半導(dǎo)體白光照明材料、器件及應(yīng)用技術(shù);
17、 其它(如稀土、有機(jī)半導(dǎo)體等)半導(dǎo)體材料、性質(zhì)及器件應(yīng)用;
18、化合物半導(dǎo)體敏感材料、制備、表征及應(yīng)用;
19、化合物半導(dǎo)體微、納電子及光電子器件制造、表征及應(yīng)用;
20、太陽能電池材料、器件性能表征及應(yīng)用。
(四)論文要求:
1、論文力求反映國內(nèi)外最新研究方向和成果,數(shù)據(jù)準(zhǔn)確,論述嚴(yán)謹(jǐn),結(jié)論明確,尚未在國內(nèi)外公開刊物或其它學(xué)術(shù)會(huì)議上發(fā)表過,論文全文經(jīng)審稿錄用后將收入會(huì)議論文集。
2、優(yōu)秀論文將推薦發(fā)表在SCI收錄期刊Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics雜志和EI收錄期刊《發(fā)光學(xué)報(bào)》上。
(五)稿件內(nèi)容分類:
請(qǐng)將稿件分為四大類,以便于匯集和編輯:
1、材料生長與表征,類別代碼:MGC
2、高頻、高功率電子器件,類別代碼:ED
3、發(fā)光器件和光電探測(cè)器件,類別代碼:OED
4、設(shè)備、系統(tǒng)和應(yīng)用,類別代碼:ES
論文投稿請(qǐng)先從會(huì)議網(wǎng)站注冊(cè),然后上傳,并在文章的顯著部位標(biāo)明類別代碼。收到論文后,我們將及時(shí)通過注冊(cè)的電子郵件及時(shí)給您確認(rèn)。
(六)會(huì)議注冊(cè)費(fèi)用:(包括代表證、會(huì)議資料、晚宴、工作餐、茶歇等)
注冊(cè)費(fèi) | 提前注冊(cè) 2012年10月20日前 | 10月20日后及現(xiàn)場(chǎng)注冊(cè) |
普通代表 | 1200人民幣 | 1500人民幣 |
學(xué)生代表 | 1000人民幣 | 1200人民幣 |
(七)參觀考察:
開封市內(nèi):清明上河園(以北宋著名畫家張擇端的傳世名作《清明上河圖》為藍(lán)本修建的仿宋大型主題公園)、包公祠(宋代清官包拯紀(jì)念地)、鐵塔(天下第一塔)、龍亭(北宋皇宮),以及開封市周邊少林寺(少林武術(shù)館,武術(shù)表演,禪宗祖庭,天下第一名剎、中國最大的古墓建筑群少林寺塔林)和洛陽(中國最大的皇家石刻藝術(shù):龍門石窟)。
(八)會(huì)議聯(lián)系:
主任:張偉風(fēng)教授
聯(lián)系人:張楊:電話(13937853831);張新安:電話(13837878278)