| 主辦單位： | 集成電路培訓中心（ICTC） |
| 舉辦時間： | 2014年6月12日（周四) |
| 舉辦地址： | 上海浦東新區張江浦東國際人才城（張衡路500弄1號樓） |
| 關注次數： | 0 |
| 報名網站： | http://www.ictc.org.cn |
小巧的造型車間，緊湊型建模邀請函 - 器件模型培訓課程
集成電路培訓中心ICTC將邀請器件建模領域的權威伯特蘭Ardouin博士，托馬斯 瓦倫丁博士做專題邀請報告。一，培訓對象：
本課程屬于緊湊型建模Workshop，適合具有一定基礎的學員：半導體廠器件模型開發人員、模擬/混合信號/射頻設計人員、以及相關領域的研究人員和管理人員、集成電路專業研究生以及對器件模型感興趣的人。
二，時間及地點：
（一）上課時間：2014年6月12日（周四）;
（二）上課地點：上海浦東新區張江浦東國際人才城（張衡路500弄1號樓）
三，其他事項：
（一）報名：
1，報名時間：2014年4月15日至6月01日止;
2、報名方式：填寫報名表格（附后），于06月01日前將填好的報名表發送至聯系人郵箱（附后）
（二）費用：
1，培訓費用：1200 三仙教授培訓的學員如報名，則可享受九折優惠。
2、培訓食宿：學員午餐由會務組統一安排，往返交通及住宿費用自理（需要住宿的學員可提前預定國際人才城酒店（協議價398元/天）??或附近上海張江置業賓館（協議價200元/天），需要預定的學員請盡早通過會務預定）。
3，相關費用請匯入會務組賬號（或根據報名回執現場交付）。
收款單位：上海林恩信息咨詢有限公司
開戶行：上海銀行曹楊支行
賬號：316586 03000624127
（匯入賬戶的學員，請將匯款底單傳真至021-3327 5892或者掃描郵件至會務組郵箱史蒂芬。yu@lynneconsulting.com）
（三）聯系方式：
聯系人：溫麗琴，余小陽（林恩咨詢,021-5109 6090，18964912340）;
聯系郵箱：溫麗琴（service@ictc.org.cn）;余小陽（steven.yu@lynneconsulting.com）
四，課程內容：
本課程屬于器件模型設計高級課程，適合具有一定基礎的學員：偏重器件模型設計中的實際問題，比如如何看待基于物理意義的模型和純擬合模型，特殊環境下的模型，以及如何判斷模型對于設計的好壞。特別討論了當前比較關心的模型，比如ELECTRO-THERMAL，RELIABILITY等問題。另外，高頻下的測量和目前比較熱門的RF-SOI模型也作了闡述。最后，對將來熱門的新材料也做了展望，也同時對目前的模型參與者提出了有趣的研究方向。課程具體內容包括：
1，引言緊湊造型及具體型號（Ardouin博士）
一，物理基礎建模的優勢在純擬合模型
B，統計建模方法
C，EDA工具，環境和流程相關問題
D，具體的建模實例：高溫型號，低溫型號，射頻模式
E，Q / A的驗證（線路電平）
2，什么有一個良好的模型是必要的？部分A / B（Ardouin博士）
一，測量
B，測量驗證與確認
C，機型小巧：一個簡要的回顧和歷史（BSIM3 / 4，EKV，PSP，HICUM，VBIC，安格洛夫）
D，測試芯片，測試結構：它的戰略直流和射頻？
E，提取工具：它的戰略模型？（環球接頭，分級，當地提取，精度標準等）
女，什么是對設計的影響？有沒有一個“適合所有型號”
3，PD SOI CMOS工藝的射頻/噪音緊湊的造型（瓦倫丁博士，受邀）
4，電熱先進技術特性（齊默教授）
一，測量：低頻率的S參數測量，脈沖直流和交流測量
B，TCAD仿真
C，電熱緊湊型
D，應用的SiGe-HBT
E，應用到28nm CMOS
樓在電路級的影響
5，射頻測量方法達到100GHZ（Ardouin博士）
校準和去嵌入技術的的S參數一，頻率限制
B，EM仿真
6，可靠性與緊湊的造型與注重生活時間預測（Ardouin博士）
一，重要性的可靠性感知模型
B，降解機制和老化模型的組合
C，晶體管緊湊模型
D，案例分析和可靠性感知電路
7，展望：“石墨烯電子：如何遠離工業應用”（齊默教授）
五，授課專家簡介：
伯特蘭Ardouin博士
伯特蘭Ardouin收到了碩士和博士學位 從theUniversityofBordeaux1 1998 Francein和2001年分別在電氣工程學位。他的研究活動是硅鍺異質結雙極晶體管先進的建模和表征。2002年，他一直XMOD技術，他目前是基金經理和研發總監的聯合創始人之一。Ardouin博士是從2006-2012的IEEE-BCTM的CAD /建模小組委員會的成員。
公關。托馬斯·齊默
托馬斯·齊默收到碩士 從theUniversityofWürzburg，德國，于1989年物理學位和博士學位 從大學波爾多1，塔朗斯，法國，在1992年電子學士學位。從1989年到1990年，他與德國弗勞恩霍夫研究所，德國埃爾蘭根。自1992年以來，他與IMS研究所，法國Talence。自2003年以來，他在他UniversityBordeaux1教授。在IMS的實驗室，他是研究小組的領導者“納米電子學。”他的研究興趣主要集中在高頻設備，如HBT（鍺，磷化銦），石墨烯納米管和GFETs電氣緊湊建模和表征。他是高級會員IEEE和擔任評論員的許多期刊（IEEE ED，EDL，上證所...），并參加了幾次會議的程序委員會（BCTM，ESSDERC ...）。他已發表150余同行評議的科學論文，1本書，促成了8書的章節。
拉斐爾瓦倫丁博士（特邀）
他獲得了博士學位 從theInstituteofElectronics學位微納米技術，微電子和納米技術（IEMN），阿斯克新城，法國，在2008年，他的博士 度的研究是在納米級金屬源/漏全耗盡SOI專用于高頻應用晶體管的器件仿真/建模和測量。他工作作為博士后CEA LETI在ST微電子在建模組。有關他的主要研究興趣先進的無線電頻率（高達100千兆赫）的專用于高速/低功耗通信SOI CMOS器件建模緊湊。他目前正在為蒙太奇技術，公司，負責設備和建模活動。
