各相關單位、各位學員：

     您們好！

  為了貫徹落實國務院《國家集成電路產業發展推進綱要》，加快推進上海集成電路產業發展，加大集成電路人才培養力度，建立健全集成電路人才培養體系，支持集成電路產業持續快速發展，采取多種形式大力培養培訓集成電路領域高層次、急需緊缺和骨干專業技術人才,我們連同相關單位將在2016年度舉辦一系列高級課程及會議。

關于舉辦“SiGe BiCMOS技術的微波和太赫茲應用研討會”的通知

一、為什么參加

在過去的十幾年里， 針對不同應用的THz間隙內的頻譜（30GHz到30THz），比如在毫米和亞毫米波范圍內的工業傳感器和圖像應用，點對點無線通信，極寬帶ADCs，400Gb/s光（主鏈）傳輸、高分辨率的150 GHz汽車雷達，以及移動通信高線性放大器等的應用興趣有所增加。此外，這個頻段在電路和系統級上也有很多應用領域，如健康（醫療設備，皮膚和遺傳篩選），材料科學（安全檢查和研究），大規模運輸（安檢，在座位通訊），工業自動化（傳感器），通信（地面，衛星），以及空間探索等。然而，在商業市場的這些高性能的電路和系統主要是由成本，構成因素和能效來驅動。有些在毫米和亞毫米波范圍的應用不能由數字CMOS處理技術完成，這是由于寄生效應對高頻（HF）的影響，以及CMOS截止頻率的局限性。并且，由于商業應用的多樣性，這個體量不足以去用先進的數字CMOS工藝和一些被動器件。一個更具成本效益的解決方案是高性能的鍺硅（SiGe）模塊化集成異質結雙極晶體管（HBT）和高頻應用的專用無源器件嵌入不是非常高端的CMOS工藝。由此產生的BiCMOS技術已經成為一個主流的制造平臺。平臺內種類繁多的現有高頻產品是由像IBM/GlobalFoundrie這樣的半導體廠和研究機構， ST微電子55納米的SiGeC BiCMOS工藝，以及IHP的全球最快的超過0.5太赫茲（THz）的截止頻率SiGe BiCMOS工藝（130nm）所提供。

課程1將提供一個在SiGe HBT物理原理和現有CMOS平臺的工藝集成方案上的詳細介紹，同時會展開RF-CMOS, 鍺硅BiCMOS及三五族(III/V)技術的流程對比。

對于電路設計人員來說，一個良好的設計環境，和最先進的CAD工具是很重要的。課程2中展示基于SiGe HBT建模和可靠性方面的細節， 以及支持RF設計的工藝設計包中的特殊射頻組件。

課程3將側重于RF應用的SiGe BiCMOS技術的先進技術模塊，接下來的課程4將會涉及到從10GHz到500GHz的設計實例，有競爭力的RF-CMOS，SiGe設計特性和三五族技術也會在課程4中做相關的比對。

在課程5中， 三個最新的與產業應用相關的設計實例將會更詳細地介紹以及在SiGe BiCMOS工藝線上產品的應用。

在課程6中，一家德國設計公司Silicon Radar（從IHP分離）將向我們展示基于SiGe BiCMOS技術在24 GHz和120 GHz的雷達產品。 關于120GHZ的雷達芯片組，也將在現場演示。在演示中，我門將會側重于產品開發中射頻封裝概念和射頻測試問題。

除了在微波應用上的重要性，SiGe技術為在不久的將來開發太赫茲產品打開了一扇成功之門。不僅僅是在微波應用方面，這個最新的世界性研究課題也將在我們的課程中提到。特別是在課程7，我們將展示中國研究院采用IHP的SiGe技術很多年下來的研究課題進展。

最后在課程8將介紹IHP的MPW代工服務，它向未來設計公司通向SiGe BiCMOS工藝展示了一個非常便捷的途徑。

二、誰應該參加

這次會議適合代工廠工藝工程師，經理以及專注于高頻應用（高速傳輸， 雷達應用，毫米波成像和探測）的設計人員參加。另外， 從SIGE BICMOS 工藝上的不同產品的展示，對想擁有類似產品的設計人員和客戶來說是非常有吸引力的。 當然，這個會議也歡迎國內代工企業的高層管理人員一起來參與討論IHP和本土擁有BICMOS 工藝的晶圓代工廠之間可能的合作。

三、會議安排

會議時間：2016年03月17—18日（2天）

報到注冊時間：2016年3月17號，上午9:00-9:30

會議地點：上海集成電路技術與產業促進中心（1樓報告廳）

上海市浦東新區張江高科技園區張東路1388號21幢

四、會議注冊費用

本期研討會報名費2500元/人（含授課費、場地租賃費、資料費、會員期間午餐），學員交通、食宿等費用自理（報名回執表中將提供相關協議酒店信息供選擇）。

團體注冊報名優惠：3人（共7000元），4人（共8800元），5人及以上團體報名優惠可協商；

在校學生注冊報名優惠：1800元/人

請于2016年03月11日前將會議注冊費匯至：

戶 名：上海林恩信息咨詢有限公司

開戶行：上海銀行曹楊支行

帳 號：31658603000624127

五、報名方式

請各單位收到通知后，積極選派人員參加。報名截止日期為2015年03月11日,請在此日期前將報名回執表發送Email或者傳真至：

郵件：steven.yu@lynneconsulting.com

傳真: 021-3327-5892

報名咨詢電話：021-51096090

六、研討會具體安排

第一天：2016年03月17日（星期四）
課程 1: 時間：09:00am-11:15am
主題： SiGe HBTs integrated in a CMOS platform - By Dr. A. Mai
    集成在CMOS平臺中的鍺硅異質結雙極型晶體管(SiGe HBT)——A.Mai博士

-Physics of SiGe HBT
鍺硅異質結雙極型晶體管的物理原理
-Detailed Technology flow of SiGe HBT in a CMOS platform
CMOS平臺中鍺硅異質結雙極型晶體管的具體工藝流程
-Process comparison RF-CMOS, SiGe BiCMOS, III/V Technologies
RF-CMOS, 鍺硅BiCMOS及三五族(III/V)技術的流程對比

課程 2: 時間：11:30am-12:30pm
主題：Circuit Design platform for SiGe HBTs – By Dr. R.F. Scholz
   鍺硅異質結雙極型晶體管的電路設計平臺——R.F. Scholz博士

-Modelling and Reliability of SiGe HBTs
異質結雙極型晶體管的建模和可靠性分析
-Process Design Kit for RF Design
射頻(RF)工藝設計包

課程 3: 時間：1:30pm-3:00pm
主題：High end RF Technology Modules on CMOS/BiCMOS a More than Moore strategy- By Dr. M. Kaynak
   超越摩爾定律策略的CMOS/BiCMOS高端射頻技術模塊——M.Kaynak博士

-BiCMOS embedded RF-MEMS
BiCMOS嵌入式射頻微機電系統(RF-MEMS)
-BiCMOS embedded Through Silicon Vias
BiCMOS嵌入式硅通孔
-Microfluidics for THz bio-sensing applications
用于太赫茲生物傳感應用的微流控
-Fan out wafer level packaging (eWLB) for RF applications
射頻應用中扇出晶圓級封裝(eWLB)

課程4 : 時間：3:30pm-5:00pm
主題：Overview SiGe Circuit Design – By Dr. M. Kaynak
   鍺硅電路設計的綜述——M.Kaynak博士

-Application comparison RF-CMOS, SiGe BiCMOS, III/V Technologies
RF-CMOS，鍺硅BiCMOS及III/V族技術的應用比較
-Selected SiGe Design Examples from 10 GHz to 500 GHz
挑選的從10GHz到500GHz的鍺硅設計案例

第二天：2016年03月18日（星期五）

課程 5:  時間：9:30am-11:00am
主題： Wireless Applications: From research to product - By Dr. Y. Sun
    無線應用：從研究到產品——Y.Sun博士

-60 GHz for communication 
用于通信的60GHz頻段
-120 GHz Radar on chip solution 
用于芯片解決方案中雷達的120GHz頻段
-77 GHz Radar for Automotive: front-end solution chipsets pre-release 
用于汽車雷達的77GHz頻段：前端解決方案芯片組預覽

課程 6:  時間：11:00am-12:00am
主題：Silicon Radar – Experts on MMICs Radar Products - By D. Genschow
   硅雷達-單片式微波集成電路(MMIC)雷達產品中的明星——D.Genschow博士

-24 GHz Radar Frontend Chips
24GHz雷達前端芯片
-Packaging Concept and RF Testing on 120 GHz Radar reference product
120GHz雷達產品的包裝理念和RF測試
-120 GHz Demonstration Board – on site demo
120GHz現場演示

課程 7:  時間：1:15pm-3:00pm
主題： TMillimetre-wave and THz Applications – SiGe Design Research in China–By Prof. Y.Z. Xiong
   中國鍺硅設計研究—毫米波和太赫茲的應用——熊永忠教授

-W-band transcevier 
W波段收發器
-D-band transceiver
D波段收發器
-340 GHz transceiver
340GHz收發器

課程8:  時間：3:30pm-4:14pm
主題： MPW and Foundry Service from IHP - By Dr. R.F. Scholz
    德國高性能微電子研究所（IHP）)的多項目晶圓(MPW)和晶圓代工服務——R.F.Scholz博士

七、授課專家簡介:

Dr. Andreas Mai-IHP技術部門“流程整合”項目組負責人

Andreas Mai博士曾在勃蘭登堡州技術大學修讀物理，并于2006年在AMD德累斯頓獲得畢業證書。接著他加入IHP技術部門，他所在的流程整合項目組致力于將130nm SiGe-BiCMOS工藝用于RF-LDMOS晶體管  的集成。他于2010年獲得博士學位，并成為項目主管，負責技術協調，提高產量以及IHP MPW工藝技術的穩定性。2013年，他成為IHP技術部門“流程整合”項目組負責人，負責IHP公司的服務及某些研  究事務。自2015年初以來，他充當技術部門領導者的角色，主要負責200mm SiGe-BiCMOS的生產線和技術服務事務。

Dr. Mehmet Kaynak-IHP技術組項目負責人

Mehmet Kaynak博士于2004年獲得伊斯坦布爾技術大學通信工程系的本科學位，2006年獲得土耳其伊斯坦布爾薩班哲大學微電子項目的碩士學位，2014年獲得德國柏林技術大學的博士學位。2008年他加  入到IHP微電子德國法蘭克福技術組，從2008到2015年，他負責IHP MEMS的發展。自2015年以來，他成為IHP技術組的項目負責人，Kaynak博士兼職土耳其薩班哲大學教授，他正組建IHP和薩班哲大學的  聯合實驗室。Kaynak博士從事用于毫米波應用的BiCMOS工藝中的RF-MEMS開關發展超過5年，他還有RF和毫米波硅基電路的經驗。他的其它研究興趣有集成CMOS-MEMS技術，RF MEMS無源器件的發展，薄膜結構的熱性能  和熱機械性能以及這些有限元分析的建模。最近，他在IHP發起3D異構集成和微流體技術的研究活動。Kaynak博士作為作者或者共同作者在同行評議的期刊和會議出版物上發表過超過100文章，他擁有RF-MEMS技術的7項專利。他曾參與很多不同德國聯邦教育和研究部(BMBF)和歐盟(EU)支持的項目，并且擔任歐盟自主的FLEXWIN和納米技術項目的負責人。他目前擔任一些國際會議和期刊的會員及評審，比如IEEE NEMS, IEEE IMS, IEEE Radio Wireless Week, IEEE SiRF, EuMW, GeMiC, MEMSWAVE, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, IEEE Transactions on Antenna and Propagation, Elsevier Microelectronics Engineering。他擔任2013年MEMSWAVE會議的大會主席和2013年IEEE SiRF的TPC主席，他是歐洲空間機構(ESA)微納米技術(MNT)組，EuMAs專題組RF MEMS，IEEE技術委員會 MTT-21(MEMS Components and Technologies)和MTT-10(Biological Effect and Medical Applications of RF and Microwave)的會員。Kaynak獲得2014年萊布尼茲研究所的青年科學家獎。

熊永忠教授-中國工程物理研究院微系統與太赫茲中心半導體器件研究室主任、教授、四川省和成都市特聘專家

熊永忠教授獲得新加坡南洋理工大學(NTU)電氣和電子工程的博士學位，他擔任新加坡微電子研究院(IME)的首席研究員(PI)已經十余年。他目前是中國成都工程物理學院太赫茲研究中心半導體器件和集成電路的教授和主任。他是我國硅基微波毫米波太赫茲集成電路芯片研究領域的典型代表。在新加坡微電子研究所，所領導的團隊在2010年研制出世界上第一款硅基超高速10Gbps 135GHz的收發芯片，及400GHz 收發芯片，和世界上最小片載135GHz和400GHz高效高增益介質天線和襯底集成波導天線等。2011年回國后，所領導的半導體器件研究室研制了一系列太赫茲(工作頻率大于100GHz)收發芯片，高速調制器和片載天線等，其中不乏國際首創，整體水平國際領先，填補了我國高性能集成電路的空白。其中完成了我國首款低成本硅基X波段和Ka波段多功能芯片和94GHz收發芯片，有望大幅度降低我國相控陣雷達成本，為國防事業的發展做出貢獻。他正領導一個致力于單片硅基微波/毫米波/太赫茲集成電路設計和器件建模表征的小組，他擁有多項授權專利，并撰寫和共同撰寫了超過200篇學術論文。

孫耀明博士

孫耀明博士于1997年獲得中國西安電子科技大學的本科學位，2003年獲得比利時魯汶大學的碩士學位，2009年獲得德國科特布斯勃蘭登堡工業大學的博士學位。孫博士從1997年到2002年從事移動通信RF  收發器的領域，2002年，他參與了比利時微電子研究中心（IMEC）基于MCM-D技術的Ku波段收發器的設計。從2003年到2013年，他擔任德國法蘭克福奧德的IHP的研究員。期間，他參與設計了歐洲第一塊  60GHz收發器的SoC芯片。自2010年，他主持歐洲項目”SUCCESS”，開發并成功實現了122GHz雷達芯片組。2013年，孫博士建立了香港微系統集成公司，在亞洲推進SiGe BiCMOS技術，并且提供設計服務和咨詢。

D. Genschow

Dieter Genschow于2006年畢業于雷丁大學(英國)和德國柏林的應用科學大學，然后他開始在汽車行業的德國Tier 1公司擔任一名電容式感應技術設計工程師。在2009年，他加入IHP擔任研究助理并在雷  達系統設計領域工作了6年。2015年，他加入Silicon Radar，目前負責嵌入式雷達系統設計和產品管理。

Dr. René Scholz-IHP MPW和晶圓代工服務項目負責人

自2004年以來René Scholz擔任IHP MPW和晶圓代工服務的項目負責人，他的項目組也負責IHP BiCMOS技術工藝設計包的開發。2001到2004年，他負責IHP射頻特性和SiGe-HBT建模研究。2008年他獲得法蘭克福(奧德)歐洲大學研究管理中歐和東歐的工商管理碩士。1991到1996年，他在哈雷的馬克斯·普朗克研究所修讀博士。課題：點缺陷硅和砷化鎵擴散的研究。

八、組織單位（排序不分先后）

附件文件：

附件1：研討會通知（英文版）

附件2：研討會通知（中文版）

附件3：研討會注冊表