在去年底國(guó)內(nèi)4G牌照發(fā)放后，中國(guó)移動(dòng)和中國(guó)電信先后啟動(dòng)了4G商用服務(wù)，中國(guó)聯(lián)通也將于近日開啟4G業(yè)務(wù)。工信部通信發(fā)展司司長(zhǎng)聞庫在年初召開的“全球LTE運(yùn)營(yíng)發(fā)展高峰論壇”上表示，今年全國(guó)將有超過300個(gè)城市開啟4G服務(wù)，保守預(yù)計(jì)至少發(fā)展3000萬4G用戶，樂觀預(yù)計(jì)則會(huì)突破5000萬。

4G通信的迅速發(fā)展，尤其是中國(guó)三家運(yùn)營(yíng)商4G網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)計(jì)劃，給微波和射頻產(chǎn)業(yè)帶來一個(gè)巨大的機(jī)遇，同時(shí)也是對(duì)整個(gè)供應(yīng)鏈產(chǎn)能的一個(gè)挑戰(zhàn)，恩智浦半導(dǎo)體（NXP）無線通訊及射頻業(yè)務(wù)大中華區(qū)區(qū)域高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理潘璠近日接受微波射頻網(wǎng)專訪時(shí)表示。

潘璠分析，大規(guī)模的網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃和建設(shè)推動(dòng)著通信產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展、變化和創(chuàng)新；對(duì)高效率的追求,對(duì)低成本的要求,也驅(qū)動(dòng)著新一代的高性能方案不斷推出以及新材料研發(fā)的完善與商業(yè)化。

潘璠表示，作為全球領(lǐng)先的射頻功率半導(dǎo)體廠商，恩智浦依托行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)能力，能夠提供一流的解決方案以滿足LTE、LTE-Advanced和5G通信網(wǎng)絡(luò)的需求。與此同時(shí)，恩智浦也正在積極投入擴(kuò)充產(chǎn)能和生產(chǎn)效率優(yōu)化，以應(yīng)對(duì)爆發(fā)式的器件需求給器件產(chǎn)業(yè)鏈所帶來的巨大壓力。

針對(duì)下一代無線基站類無線無線基礎(chǔ)設(shè)施，無論是針對(duì)高功率射頻應(yīng)用的LDMOS和GaN，還是針對(duì)小信號(hào)需求的SiGe和BiCMOS，恩智浦都能夠提供非常豐富的全系列的射頻解決方案，潘璠介紹說。

宏基站方面，恩智浦能夠提供一系列覆蓋各個(gè)頻段、各個(gè)功率等級(jí)的解決方案。同時(shí)，恩智浦也正在積極開發(fā)第九代LDMOS（有望今年Q2發(fā)布）和針對(duì)基站應(yīng)用的GaN射頻功率器件，進(jìn)一步提升產(chǎn)品的效率、功率密度和散熱性能。

微基站方面（SmallCell），恩智浦能夠提供一系列覆蓋各個(gè)頻段，各個(gè)所需功率等級(jí)的解決方案,并且針對(duì)SmallCell的特性，能夠?qū)崿F(xiàn)電路尺寸更小、效率更高、更理性的寬帶特性等特點(diǎn)，比如雙通路MMIC、集成Doherty器件。

在GaN方面，在雷達(dá)與對(duì)抗領(lǐng)域，恩智浦已經(jīng)于去年發(fā)布幾款GaN器件。在2014年，恩智浦將著手開發(fā)面向移動(dòng)通信/基站應(yīng)用的GaN，側(cè)重于針對(duì)移動(dòng)通信的帶寬優(yōu)化和系統(tǒng)要求的GaN器件，以及更高性價(jià)比的設(shè)計(jì)。

同時(shí)，恩智浦還在開發(fā)使用GaN開關(guān)晶體管的數(shù)字功率放大器，可提供比線性放大器更高的效率。這些開關(guān)模式功率放大器(SMPA)可用于多頻帶而無需更改任何硬件，并且將成為推動(dòng)未來“終極”基站發(fā)展的關(guān)鍵因素，潘璠強(qiáng)調(diào)。正如恩智浦其他的GaN工藝，0.25μmGHSM工藝采用SiC襯底，具有更佳的可靠度、卓越的射頻性能和增強(qiáng)的熱管理，進(jìn)一步突出了堅(jiān)定地選擇GaN的優(yōu)勢(shì)。

本文為MWRF.NET原創(chuàng)文章，未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載，如需轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系market#mwrf.net(#換成@)