經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，我國(guó)混合集成電路行業(yè)已形成了一定的生產(chǎn)規(guī)模。隨著新材料和新工藝的應(yīng)用，混合集成電路技術(shù)已開始向高端邁進(jìn)。我們力爭(zhēng)再用15年時(shí)間，使混合集成電路的總體技術(shù)水平達(dá)到或接近國(guó)外同類產(chǎn)品水平。

　　經(jīng)過幾十年的發(fā)展，我國(guó)的混合集成電路行業(yè)從無(wú)到有，從小到大。在20世紀(jì)60年代后期，我國(guó)只有少數(shù)幾家單位從事混合集成電路的研究和制造，如今，該領(lǐng)域已經(jīng)有數(shù)十家研究所、工廠和公司。

產(chǎn)業(yè)規(guī)模逐步擴(kuò)張

　　中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)混合集成電路分會(huì)成立于1988年5月，目前，混合集成電路分會(huì)有會(huì)員單位50余家。研制、生產(chǎn)混合集成電路的單位有近20家，骨干單位有中電科技集團(tuán)43所、24所、13所、兵器214所、航天771所、北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司、北京飛宇微電子有限責(zé)任公司、青島半導(dǎo)體研究所、深圳振華微電子有限公司、陜西華經(jīng)微電子股份有限公司、天水華天微電子有限公司、湖北東光電子股份有限公司、重慶川儀微電路有限責(zé)任公司、北京新雷能有限責(zé)任公司、上海得律風(fēng)根電子有限公司以及廣東風(fēng)華高新科技集團(tuán)有限公司等。

　　20年來(lái)，我國(guó)的電子信息產(chǎn)業(yè)得到突飛猛進(jìn)的發(fā)展，特別是《信息產(chǎn)業(yè)“十一五”規(guī)劃》明確要求重點(diǎn)發(fā)展片式化、微型化、集成化、高性能的新型元器件，具體提出：優(yōu)先支持小型片式阻容感元件，……小型化高頻頻率器件，混合集成電路等量大面廣元器件的規(guī)模生產(chǎn)，提升國(guó)內(nèi)元器件材料的基礎(chǔ)研發(fā)和配套能力。

　　過去20年是我國(guó)混合集成電路行業(yè)發(fā)展最快的20年，在品種開發(fā)、工藝技術(shù)、經(jīng)營(yíng)管理、產(chǎn)品合格率等諸多方面都取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，使我國(guó)混合集成電路的整體水平上了一個(gè)新臺(tái)階。目前已建立了一定的研究、開發(fā)的技術(shù)和物質(zhì)基礎(chǔ)，形成了一定的生產(chǎn)規(guī)模，培育了一支有一定科研開發(fā)能力的電子科技隊(duì)伍，走過了仿制、改進(jìn)的技術(shù)發(fā)展階段，進(jìn)入了以自主研制為主的時(shí)期。

技術(shù)檔次迅速提高

　　目前，混合集成電路已在我國(guó)軍事裝備制造和民用工業(yè)中得到廣泛應(yīng)用，涉及航天、航空、艦船、兵器、通信、雷達(dá)、電子對(duì)抗以及工業(yè)儀表、民用通信業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。為滿足電子裝備的小型化、輕量化、高速化、多功能、高可靠的要求，混合集成電路由于多芯片組裝技術(shù)(MCM)的應(yīng)用也在工藝技術(shù)方面發(fā)展到了一個(gè)更高集成的階段，這也是SMT(表面貼裝)技術(shù)的發(fā)展和延伸，是多層布線基板技術(shù)、多層布線互聯(lián)技術(shù)、表面安裝技術(shù)、微型元器件封裝技術(shù)及相關(guān)裸芯片制造技術(shù)的綜合和發(fā)展。我國(guó)混合集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今已經(jīng)有40多年了，已經(jīng)形成了一定的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，特別是經(jīng)過近幾年的技術(shù)引進(jìn)、改造、消化、吸收，混合集成電路行業(yè)擁有了自動(dòng)化程度較高、生產(chǎn)能力較強(qiáng)的生產(chǎn)線20多條，產(chǎn)品技術(shù)檔次和水平均有較大的提升。

　　近年來(lái)，我國(guó)混合集成電路的設(shè)計(jì)技術(shù)、基板制造技術(shù)、元器件組裝互連技術(shù)、封裝技術(shù)、電子材料制備技術(shù)都取得了很大的發(fā)展。基板制造水平與能力是其技術(shù)水平的重要標(biāo)志之一。目前，國(guó)內(nèi)水平為：厚膜印刷線寬/間距0.15mm，光刻厚膜線寬/間距0.05mm，厚膜的導(dǎo)體層數(shù)最多4層，調(diào)阻精度最高0.1%；薄膜線寬/間距0.02mm，布線層數(shù)最高4層；LTCC(低溫共燒陶瓷)基板層數(shù)最高48層。

　　產(chǎn)品內(nèi)部元器件采用再流焊或金屬絲焊互連，封裝大多采用全密封金屬外殼，質(zhì)量等級(jí)達(dá)H級(jí)。在為軍事電子裝備提供的大量高質(zhì)量混合集成電路中，部分產(chǎn)品的制造水平與電氣性能，已達(dá)到上世紀(jì)末期的國(guó)際先進(jìn)水平。

發(fā)展目標(biāo)鎖定AHIC

　　混合集成電路產(chǎn)品會(huì)隨新技術(shù)的引入而不斷變化和發(fā)展，這些新材料和新工藝技術(shù)會(huì)使產(chǎn)品的性能越來(lái)越強(qiáng)，可靠性越來(lái)越高，同時(shí)體積越來(lái)越小。從應(yīng)用的角度看，混合集成電路有3個(gè)發(fā)展方向：高頻電路、大功率電路和高精度電路。從工藝技術(shù)的角度講，將向?qū)崿F(xiàn)系統(tǒng)級(jí)集成的多芯片模塊方向發(fā)展。

　　隨著電子整機(jī)和系統(tǒng)對(duì)小型、輕量、高速、多功能的迫切要求，混合集成技術(shù)走向高級(jí)階段即高級(jí)混合集成電路(AHIC)。就其功能而言，AHIC已不是單一功能的混合集成電路，而是混合集成化的微電子部件或子系統(tǒng)。就其電路規(guī)模而言，AHIC已是屬于混合大規(guī)模集成電路或混合甚大規(guī)模集成電路范疇。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是組件化，有人認(rèn)為今后10年是混合集成電路組件化的10年。AHIC的發(fā)展使得混合集成技術(shù)與半導(dǎo)體單片集成技術(shù)更為緊密地結(jié)合起來(lái)，二者相輔相成，成為微電子技術(shù)中極重要的部分。

　　在未來(lái)15年內(nèi)，我們力爭(zhēng)使混合集成電路的總體技術(shù)水平達(dá)到或接近國(guó)外同類產(chǎn)品水平。混合集成電路設(shè)計(jì)、制造水平與同期國(guó)際先進(jìn)水平相當(dāng)，初步建成較為完善的混合集成電路核心芯片的設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試、可靠性評(píng)價(jià)(KGD)體系。混合集成電路的國(guó)產(chǎn)化率從約30%提高到80%。混合集成電路產(chǎn)品發(fā)展的重點(diǎn)主要是包括電源模塊和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)模塊在內(nèi)的大功率電路、射頻和微波電路、高精度信號(hào)處理電路、基于MCM的系統(tǒng)級(jí)封裝電路和抗輻射加固電路等。

　　此外，我們還應(yīng)該加強(qiáng)人才隊(duì)伍的建設(shè)，改善已有軟件及硬件設(shè)施，瞄準(zhǔn)國(guó)際先進(jìn)技術(shù)，立足自身，加強(qiáng)支撐和保障能力建設(shè)，提升混合集成技術(shù)能力，最終實(shí)現(xiàn)混合集成電路全部國(guó)產(chǎn)化。