據(jù)ABI Research網(wǎng)站1月26日報道 雖然RF（射頻）功率半導(dǎo)體在無線基礎(chǔ)設(shè)施市場仍處于停滯狀態(tài)，但在其他市場，尤其是軍品市場，形勢已開始好轉(zhuǎn)。據(jù)美國市場研究機構(gòu)ABI Research最新報告指出，GaN（氮化鎵）作為未來很有潛力的RF功率器件制備材料，將進一步獲得市場認可。

    GaN兼具GaAs（砷化鎵）的高頻性能和硅基LDMOS器件的功率處理能力，現(xiàn)已成為主流技術(shù)，取得了一定市場份額，并將在未來市場中占有一席之地。

    不同于無線基礎(chǔ)設(shè)施市場，軍品市場的RF功率器件交易表現(xiàn)出強勁上揚的態(tài)勢。雖然生產(chǎn)商集中在幾個主要工業(yè)化國家，但隨著軍品市場的全球化，買方可來自世界各地。

    RF功率器件是指頻率達到3.8GHz且輸出功率在5W以上的半導(dǎo)體器件，可以滿足現(xiàn)有大部分應(yīng)用需求。

    (工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報研究所 陳 思)