2012年8月3日工信部電信研究院標準化研究所所長王志勤日前介紹，在6月份全球LTE商用網絡已經達到了95個，其中也有7個是TDD的，還有2個是混合網絡的。

她表示， 去年全球LTE基站數已經達到了10萬個，比較集中在北美，日韓等國家，在人口的覆蓋率方面相對是比較集中的。從用戶的發展來看，到6月份，全球LTE的用戶已經達到了2400萬，美國占了比較高的位置，一半以上的用戶都是在美國，第二位是韓國，第三位是日本。這三個國家的LTE用戶數占了全球90%以上。

歐洲的起步相對比較早，整個網絡的數量很多，但是每個網絡的用戶數規模都比較小，占到了全球的4%。

王志勤介紹，從目前商用的結果來看，很多運營商跟3G技術比較而言，LTE在速率和用戶體驗方面的優勢還是比較明顯的，這些原因都是促進其在非常短的時間內，僅用了3年半的時間就達到了2000萬的用戶規模。

為什么LTE的用戶集中在美國和日韓？王志勤介紹，一方面這些國家在原有的3G發展的過程中并不是十分的理想，這些國家也是希望借助4G的發展希望有一個跨越式的發展進程。另外，美國日韓這些國家也是全球移動互聯網發展非常繁榮的地區，整個需求非常明顯。

從目前全球的LTE終端的使用來看，40納米支持數據卡的使用，從目前TD-LTE的角度來看，基本上是3G卡功耗的2倍左右。產業界基本達成共識，40納米逐漸成熟，也被認為可以在市場上首先在數據看類應用，28納米是發展的新的路標。

“高通公司今年初期有一些小批量的28納米產品投放市場，但是要實質性的批量化要到今年年底。”她表示。

國內的大部分企業，特別是針對TD-LTE的產品要在2013年的下半年左右推出。我們也是覺得28納米目前由于芯片量產工藝的完善性和產品架構方面也還是有一定的難度。