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高通發力PA市場 對砷化鎵產業影響有待觀察

2013-02-25 來源:蘋果日報 字號:

移動芯片大廠高通(Qualcomm)最新發布CMOS PA(Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Power Amplifer互補式金氧半導體功率放大器),挾CMOS材料低成本優勢侵蝕PA市場,使得砷化鎵族群昨股價盤中大跌逾3%;不過,砷化鎵業者認為,高通新產品的功率及效能還不清楚,未來對砷化鎵在PA領域的優勢是否會造成影響還有待觀察。

高通指出,將在今年下半年推出以CMOS制程生產的PA,支持LTE-FDD、LTE-TDD、WCDMA、EV-DO、CDMA 1x、TD-SCDMA與GSM/EDGE等7種模式,頻譜將涵蓋全球使用中的逾40個頻段,以多頻、多模優勢宣布進軍行動PA產業。

穩懋:今年是關鍵年

穩懋總經理王郁琦日前針對產業出現變化強調,今年是砷化鎵產業關鍵的1年,主要是通訊市場由3G升至4G,需要更高頻寬及速度,砷化鎵芯片在傳輸速度上高于矽芯片5倍以上,最適合發展。

業者認為,單就砷化鎵的物理性質來說,砷化鎵的高飽和電子速率及高電子移動率,在高頻PA領域的需求是CMOS等矽材料無法跟上的,加上若以電子移動速率分析,砷化鎵材料的物理表現是矽材料的5倍,而這項物理性質對于需高頻、高功率運作的智能手機而言,是相當關鍵的特質。

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