IC Insights:2013年功率晶體管銷(xiāo)量將增長(zhǎng)7%
根據(jù)IC Insights一項(xiàng)新的2013 O-S-D報(bào)告(針對(duì)光電、傳感器/制動(dòng)器和分立器件的分析和預(yù)測(cè))顯示,功率晶體管的銷(xiāo)量在經(jīng)歷了2010年和2011年的強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng)后,受到經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)疲弱及高不確定性因素的影響,于2012年下滑了逾8%,至123億美元。2013 O-S-D報(bào)告進(jìn)一步顯示,今年功率晶體管在全球市場(chǎng)的銷(xiāo)量將增長(zhǎng)7%至132億美元,并可望于2014年增長(zhǎng)8%,創(chuàng)143億美元新高,這將超過(guò)2011年所保持的135億美元的記錄。
全球功率晶體管的銷(xiāo)量在過(guò)去10年中下跌了3次,分別為2005年下跌5%,2009年年下跌16%,和2012年下跌8%。
分離式半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模在2011年寫(xiě)下新高記錄的234億美元與12%增長(zhǎng)率后,在2012年下滑了7%,達(dá)到217億美元。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品占2012年整體分離式元件銷(xiāo)售的57%,但預(yù)計(jì)這一占有率將在2017年時(shí)增長(zhǎng)至61%。
IC Insights預(yù)期在接下來(lái)的五年內(nèi)將不會(huì)再出現(xiàn)另一波經(jīng)濟(jì)衰退或半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)低潮,預(yù)計(jì)在2012年至2017年間,全球功率半導(dǎo)體的年?duì)I收將以近8.5%的CAGR增長(zhǎng)。
以電池驅(qū)動(dòng)的裝置、電池驅(qū)動(dòng)的汽車(chē)以及可再生能源發(fā)電等應(yīng)用持續(xù)大幅增長(zhǎng),帶動(dòng)了功率半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)。IC Insights表示,在未來(lái)的五年內(nèi),40V MOSFET預(yù)計(jì)將帶來(lái)最強(qiáng)勁的銷(xiāo)售增長(zhǎng),CAGR達(dá)9.7%。IGBT 模組銷(xiāo)售增長(zhǎng)居次,CAGR預(yù)計(jì)約有9.2%。分離式 IGBT 半導(dǎo)體預(yù)計(jì)在2012-2017年間將以8.8%的CAGR增長(zhǎng);同期間,400V以上 FET 銷(xiāo)售預(yù)計(jì)將以8.6%的CAGR增長(zhǎng)。