今年以來，“電子熱”此起彼伏，各類技術(shù)創(chuàng)新更成為個股股價爆發(fā)的催化劑。

近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組成功研制出第一個介于普通MOSFET晶體管和浮柵晶體管之間的半浮柵晶體管(SFGT)，該研究成果被刊發(fā)在美國《科學(xué)》雜志上。分析人士表示，這是我國科學(xué)家首次在該雜志上發(fā)表微電子器件領(lǐng)域的論文，標(biāo)志著我國在全球尖端集成電路技術(shù)創(chuàng)新鏈中獲得了重大突破。預(yù)計此次微電子的罕見成就將催生新一波的“元器件熱”，相關(guān)個股華微電子、復(fù)旦復(fù)華、長電科技及風(fēng)華高科有望獲得資金青睞。

微電子罕見成就意義重大

據(jù)報道，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組成功研制出第一個介于普通MOSFET晶體管和浮柵晶體管之間的半浮柵晶體管(SFGT)。8月9日，美國《科學(xué)》雜志刊發(fā)了該研究成果，這是我國科學(xué)家首次在該雜志上發(fā)表微電子器件領(lǐng)域的論文，標(biāo)志著我國在全球尖端集成電路技術(shù)創(chuàng)新鏈中獲得重大突破。

據(jù)介紹，金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是目前集成電路中最基本的器件，而常用的U盤等閃存器件多采用另一種被稱為浮柵晶體管的器件。此次研究人員把一個隧穿場效應(yīng)晶體管(TFET)和浮柵器件結(jié)合起來，構(gòu)成了一種全新的“半浮柵”結(jié)構(gòu)器件，稱為半浮柵晶體管。它具有高密度和低功耗的明顯優(yōu)勢，可取代一部分靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)，并應(yīng)用于動態(tài)隨機存儲器(DRAM)領(lǐng)域以及主動式圖像傳感器芯片(APS)領(lǐng)域。

據(jù)復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)介紹道，作為一種基礎(chǔ)電子器件，半浮柵晶體管在存儲和圖像傳感等領(lǐng)域的潛在應(yīng)用市場規(guī)模超過300億美元。它的成功研制將有助于我國掌握集成電路的核心技術(shù)，從而在國際芯片設(shè)計與制造領(lǐng)域內(nèi)逐漸獲得更多的話語權(quán)。

而不同于實驗室研究的基于碳納米管、石墨烯等新材料的晶體管，半浮柵晶體管是一種基于標(biāo)準(zhǔn)硅CMOS工藝的微電子器件。張衛(wèi)表示，半浮柵晶體管兼容現(xiàn)有主流集成電路制造工藝，具有很好的產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)；不過，擁有核心專利并不等于擁有未來的廣闊市場。盡管半浮柵晶體管應(yīng)用市場廣闊，但前提是對核心專利進行優(yōu)化布局。

國際巨頭加大支出  半導(dǎo)體消費規(guī)模創(chuàng)新高

據(jù)海外媒體報道，盡管全球芯片銷量去年出現(xiàn)了下滑，但今年全球半導(dǎo)體市場有望因國際大電子品牌商的加大支出而實現(xiàn)復(fù)蘇；其中，蘋果和三星將會角逐成為今年半導(dǎo)體市場上最大的消費者。

今年以來，設(shè)備廠商們對半導(dǎo)體領(lǐng)域的投資熱情十分高漲。據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)IHS的估計，今年全球主要設(shè)備生產(chǎn)商的半導(dǎo)體市場開支有望增長至2652億美元，較去年的2544億美元，同比增長4.2%。更為重要的是，2013年的半導(dǎo)體市場消費規(guī)模將達到過去六年來的最高水平。

業(yè)已成為全球PC貨量最大的中國市場，目前在與全球PC相關(guān)的芯片支出方面仍占有舉足輕重的比重。據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)IDC估計，全球芯片產(chǎn)業(yè)在今年仍有望實現(xiàn)較低的個位數(shù)增長，增長主要是來自于移動領(lǐng)域，其中蘋果和三星為該領(lǐng)域的統(tǒng)治者。據(jù)IHS的數(shù)據(jù)顯示，僅無線通訊板塊今年就占據(jù)了半導(dǎo)體市場26%的份額，即大約620億美元的份額。該板塊在2013年也是增長最快的一個市場，全年預(yù)期增幅達12.8%。

據(jù)悉，蘋果和三星是今年半導(dǎo)體市場上支出規(guī)模最高的兩家公司，排在它們之后的一些廠商包括有惠普、聯(lián)想、索尼、戴爾、思科、松下、東芝以及華碩電腦。當(dāng)中部分廠商既為芯片生產(chǎn)商身份，也同時為芯片供應(yīng)商，還有部分廠商在芯片支出方面保持著增長，也有部分廠商出現(xiàn)了下滑。

技術(shù)創(chuàng)新或催生新一輪“元器件熱”

我國科學(xué)家首次研制出新型微電子半浮柵晶體管，這標(biāo)志著我國在全球尖端集成電路技術(shù)創(chuàng)新鏈中獲得了重大突破，再加上年內(nèi)國際巨頭的爭相投入，半導(dǎo)體投資熱情不減，預(yù)計新一波的“元器件熱”將順勢而出，相關(guān)個股華微電子、復(fù)旦復(fù)華、長電科技及風(fēng)華高科有望獲得資金的青睞。

華微電子：公司自2007年起開始進行“新型電力電子器件MOSFET產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)項目”，取得了一項發(fā)明專利(“一種復(fù)合柵、柵源自隔離VDMOS、IGBT功率器件及其制造工藝”，)和兩項實用新型專利(“采用PSG摻雜技術(shù)的VDMOS、IGBT功率器件”，“一種復(fù)合柵、柵源自隔離VDMOS、IGBT功率器件”)，從而形成了一套完整、成熟的MOS制造技術(shù)和工藝體系，目前已開發(fā)出200V、400V、500V、600V系列產(chǎn)品，并已在公司現(xiàn)有48萬片六英寸生產(chǎn)線上實現(xiàn)了批量化生產(chǎn)。

長電科技：經(jīng)國家發(fā)改委批準(zhǔn)，以國內(nèi)集成電路封測領(lǐng)軍企業(yè)江蘇長電科技股份公司為依托，聯(lián)合中科院微電子研究所、清華大學(xué)微電子所、深圳微電子所、深南電路有限公司等五家單位共同組建的我國第一家“高密度集成電路封裝技術(shù)國家工程實驗室”于2009年6月21日在江陰的長電科技成立，這標(biāo)志著國家重點扶持的集成電路封裝技術(shù)產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的工程實驗平臺正式啟動。公司目前的主要產(chǎn)品為Trench-Mosfet、Sj-Mosfet、IGBT等電力電子器件和變頻器件的芯片設(shè)計，在國內(nèi)具備領(lǐng)先優(yōu)勢，事實上此前公司對片式功率器件封裝生產(chǎn)線技改擴能的項目也是主要針對MOSFET。

復(fù)旦復(fù)華：公司是復(fù)旦大學(xué)控股的上市公司，依托復(fù)旦大學(xué)雄厚的科研、技術(shù)、人才優(yōu)勢，成功確立了以軟件開發(fā)、生物醫(yī)藥、園區(qū)房產(chǎn)為核心的科技產(chǎn)業(yè)體系，目前已擁有中國重要的對日軟件出口平臺，具有科技創(chuàng)新能力的藥品研發(fā)、生產(chǎn)、營銷基地，以及廣納國內(nèi)外高新技術(shù)企業(yè)的國家級高新技術(shù)園區(qū)。此次復(fù)旦大學(xué)教授在微電子上的突出成就雖然跟公司沒有直接關(guān)系，但今年復(fù)旦大學(xué)持續(xù)在人腦\水鋰電池等行業(yè)上獲得突出研究能力，因而正面效應(yīng)依然存在。

風(fēng)華高科：公司是目前國內(nèi)片式元器件規(guī)模最大、元件產(chǎn)品系列配套最齊全的具備國際競爭力的電子元件企業(yè)，是MLCC及片式電阻器全球十大企業(yè)之一。公司研制、生產(chǎn)和銷售系列新型片式元器件，2011年更是對半導(dǎo)體高壓功率MOSFET生產(chǎn)技術(shù)線進行了改造。