市場研究公司ABI Research發布了關于大功率射頻有源器件市場的研究。研究顯示，隨著4～18GHz氮化鎵（GaN）器件的普遍應用，在微波射頻功率半導體器件方面的開銷將持續增長。ABI Research預計，微波射頻半導體市場規模有望在2019年之前超過3億美元。點到點通信、衛星通信、各種雷達和新型工業/醫療應用都將從這些大功率GaN器件的應用中獲益。

“當砷化鎵（GaAs）器件目前成為微波射頻功率領域的主流的時候，GaN器件將促進增長。”ABI研究公司市場調研總監Lance Wilson表示，“GaN器件能在更高電壓和功率下工作，而這是GaAs器件所難以實現的。”

除了上述領域的應用之外，微波GaN器件終于達到了能對行波管構成嚴峻挑戰的性能水平，這將使歷史上使用后者的領域能夠進行新的設計。

“微波射頻功率半導體”是指輸出功率超過3瓦、工作頻率在4～18GHz的微波射頻功率半導體器件。該研究是ABI Research不斷跟蹤射頻功率工業領域主要變化的成果。

該研究涉及對六個主要領域（C波段GaAs器件、C波段GaN器件、X波段GaAs器件、X波段GaN器件、Ku波段GaAs器件、Ku波段GaN器件）以及28個應用子領域的分析。