GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。它具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。

受軍工需求拉動(dòng)，氮化鎵射頻器件市場(chǎng)份額預(yù)期將以復(fù)合增長(zhǎng)率20%的速度增長(zhǎng)，其產(chǎn)值在2019年可達(dá)5.6億美元。

據(jù)戰(zhàn)略分析公司公布的報(bào)告統(tǒng)計(jì)，氮化鎵射頻器件將有一半用于軍工方面，并且此市場(chǎng)份額在2019年將上漲到60%。軍工方面主要是在通訊設(shè)備上的應(yīng)用。

美國(guó)國(guó)防部在推動(dòng)氮化鎵射頻器件在國(guó)防方面的應(yīng)用起到了重要作用，許多氮化鎵射頻器件技術(shù)多應(yīng)用在微波和毫米放大器上。

美國(guó)戰(zhàn)略技術(shù)研究公司負(fù)責(zé)人Asif Anwar 表示，氮化鎵射頻器件在軍工方面的應(yīng)用發(fā)展很快，預(yù)計(jì)氮化鎵射頻器件在雷達(dá)，通訊設(shè)備，電子戰(zhàn)場(chǎng)方面的應(yīng)用將繼續(xù)拓展，市場(chǎng)份額將進(jìn)一步增加。

戰(zhàn)略分析報(bào)告中稱，氮化鎵射頻器件在商用方面也將迎來(lái)廣泛應(yīng)用，其增長(zhǎng)主要是建筑物中的無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)備，并將成為商用最主要的應(yīng)用領(lǐng)域。然而，該機(jī)構(gòu)也警告 道，中國(guó)長(zhǎng)期發(fā)展的標(biāo)準(zhǔn)的大型網(wǎng)絡(luò)接收站點(diǎn)減少，小型單元基礎(chǔ)站點(diǎn)興起，這將會(huì)阻礙氮化鎵射頻器件在商用方面的增長(zhǎng)速度。

日本電信集團(tuán)移動(dòng)通訊公司曾經(jīng)是標(biāo)準(zhǔn)大型網(wǎng)絡(luò)接收站點(diǎn)的主要使用者，其站點(diǎn)支撐2G和3G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)。但現(xiàn)在無(wú)線運(yùn)營(yíng)商越來(lái)越多的依賴小型單元基礎(chǔ)站點(diǎn)，其信號(hào)可覆蓋2千米，更利于移動(dòng)流量的增長(zhǎng)和無(wú)線電頻譜分配站的合理使用。

先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備服務(wù)部門負(fù)責(zé)人Eric Higham表示，無(wú)線和寬頻基礎(chǔ)設(shè)施（功率放大器）也將應(yīng)用在其他商用方面。價(jià)格是主要因素，（氮化鎵技術(shù)在LDMOS和砷化鎵技術(shù)的市場(chǎng)份額中增大），而其他的一些有利政策也將影響此技術(shù)的應(yīng)用。