BIS研究公司是一家專業從事全球性的市場情報、研究和咨詢公司，專注于那些可能會在未來五至十年內產生影響的新興技術的發展趨勢和市場動態研究。

由于傳統硅基半導體材料的局限性（例如低電子遷移率，溫度敏感性和揮發性等不足），目前已經逐漸增加了對這類半導體材料替代產品的研究。更高性能半導體材料是目前市場急需，以滿足速度更快、成本更低的無線通信、信號處理和雷達等應用需求。目前，諸如鍺化硅、磷化銦、砷化鎵和氮化鎵等高度訂制且具有成本效益的半導體材料層出不窮，積極迎合了相關應用的需求。

鍺化硅材料的興起是推動該領域發展的主要因素

早在20世紀90年代初，IBM公司就開始將硅材料與金屬鍺結合在一起，生產鍺化硅（SiGe）合金，主要用于高性能終端計算和通信市場。與傳統半導體材料相比，采用鍺化硅材料技術有助于提高電子元器件性能，如低噪聲，高產量，小尺寸，耐高溫和高耐用性。這些優勢同樣具有成本效益，因此鍺化硅材料在汽車、軍事和航空航天工業等領域具有顯著的吸引力。鍺化硅材料技術已經成為推動低成本、輕量級通信設備和汽車防撞系統發展的主要推動因素。

目前硅鍺材料的進一步發展，將重點向帶寬擴展，高頻應用和熱電能力等方向聚焦，從而進一步擴大在全球消費者市場中的份額。微電子和光電子器件、光伏（PV）電池和功率器件等領域的創新，推動了鍺化硅材料市場的發展。除了互聯網應用領域的不斷擴張，手機的高度采用以及全球自主工業企業需求的巨大增長之外，一些半導體公司現在正與汽車原始設備制造商、電信業巨頭和無線網絡供應商建立合作關系，以便提升產品市場競爭力。

全球市場繼續擴大

根據BIS研究公司發布的《全球硅鍺材料與元器件市場分析與預測（2017-2021）》的最新市場研究報告顯示：全球硅鍺材料和元器件市場預計到2021年將達到50.453億美元，預計2017-2021年年復合增長率為13.7％。在預測期內，受到互聯網流量對高帶寬功能的需求增長、智能手機領域元器件采用的持續增長以及射頻（RF）設備需求的增加等因素的影響，硅鍺材料和元器件將持續推動市場增長。盡管鍺化硅材料發展很快，但III-V族半導體元素的激烈競爭，抑制了鍺化硅材料市場的增長。

根據主要發展地區顯示，硅鍺材料和元器件的市場可分為北美、亞太、歐洲和其他地區。目前，由于來自臺灣地區、韓國、中國和日本等國家的高需求，亞太地區的市場增長領跑全球。隨著移動寬帶和無線通信系統的普及，以及消費電子產品數字化程度的增加，預計該地區市場將進一步擴張。（中國航空工業發展研究中心 陳濟桁）