由飛利浦創建的獨立半導體公司恩智浦半導體 (NXP Semiconductors) 與臺灣積體電路制造股份有限公司于美國華盛頓特區 (Washington D.C.) 舉行的國際電子器件會議 (International Electron Devices Meeting，IEDM) 上共同發表七篇技術文章，報告雙方通過恩智浦-臺積電研究中心 (NXP-TSMC Research Center) 合作開發的半導體技術及制程方面的創新。

在會議中，恩智浦 –臺積電研究中心發表了創新的嵌入式存儲技術，這與傳統的非易失性存儲器相較，速度最多可以快上 1,000 倍，同時也具備小尺寸及低功耗等優勢，預估其功耗較目前的存儲器至少小十分之一，制造成本也比一般的嵌入式存儲器節省百分之五到十。此外，在使用近距無線通信技術 (NFC，Near Field Communication)進行移動支付或數據傳輸時，此技術有助于避免數據干擾并可以增加數據傳輸的安全性。

另一個技術文章發表的是置換傳統石英諧振器的創新突破，此技術可以在芯片中內建更小及更薄的定時器，而可以直接在智能卡或移動電話 SIM 卡芯片上內建定時器，進一步強化智能卡的加密保護功能。

此外，該研究中心也將發表在晶體管上的創新突破，報告新一代晶體管的效能以及其在多方面的應用。

恩智浦 –臺積電研究中心于IEDM所發表的七篇技術文章其創新突破簡介如下：

• 提高晶體管頻率 (High Frequency Breakthrough): A novel fully self-aligned SiGe:C HBT architecture featuring a single step epitaxial collector-base process
• 簡化便攜產品應用的低耗電量 CMOS 制程 (Process Simplification for Low Power CMOS Processes for Portable Applications): Tuning PMOS Mo(O,N) metal gates to NMOS by addition of DyO capping layer
• 新一代晶體管 (New Generation Transistor): Demonstration of high-performance FinFET devices featuring an optimized gatestack
• 展現高效能 CMOS 制程 (Demonstration of High Performance Full CMOS Process): Low Vt CMOS using doped Hf-based oxides, TaC-based Metals and Laser-only Anneal
• 創新的電路設計，大幅降低功耗百分之八十 (Reducing Power Consumption Effectively by 80%): Rapid circuit-based optimization of low operational power CMOS devices
• 更快速、更省電、尺寸更小的嵌入式存儲器 (Faster, Low Power, Scalable Embedded Memory): Evidence of the thermo-electric Thomson effect and influence on the program conditions and cell optimization in phase-range memory cells
• 諧振器技術突破 (Resonator Technology Breakthrough): Scalable 1.1 GHz fundamental mode piezo-resistive silicon MEMS resonator