近日，從設在電子科技大學的科技部“國際科技合作基地”獲悉，電子科技大學在微波與光通信用單晶體材料提拉和液相外延生長方面獲得突破性進展。這是繼美國、俄羅斯、烏克蘭后在國際上成功提拉出直徑4英寸、長度大于30cm的釓鎵石榴石（GGG）單晶，其經切磨拋后制備的基片上采用液相外延工藝成功外延生長了直徑為3英寸的微波通信用超厚（大于50微米）釔鐵石榴石（YIG）單晶薄膜和磁光用镥鉍石榴石(LuBiIG)單晶薄膜。

    拉制大尺寸GGG單晶及在其上外延生長低缺陷微波與光通信用石榴石薄膜是一項難度極大的技術，國際上僅有幾個國家掌握了大尺寸技術，我國以前無自主生產3英寸以上的這種晶體能力，因此本項技術的突破將極大促進我國微波與光通信系統的集成化進程。

    大尺寸GGG單晶體和YIG晶圓片技術的突破是基于電子科技大學近十年與俄羅斯、烏克蘭等國的國際科技合作的結晶。目前在電子科技大學不僅建有先進的單晶提拉和液相外延生長單晶的工藝平臺，而且在晶體微結構與生長機理方面擁有了扎實研究基礎，已能進行小批量生產，年產4英寸GGG單晶50根左右，3英寸液相外延YIG圓片10000片以上。