近期，由中科院微電子所硅器件與集成技術(shù)研究室(一室)朱陽(yáng)軍副研究員帶領(lǐng)的IGBT團(tuán)隊(duì)在1700V IGBT研制方面取得了突破性進(jìn)展。

　　該團(tuán)隊(duì)此次研制的1700V trench NPT IGBT產(chǎn)品經(jīng)過(guò)首輪流片靜態(tài)參數(shù)基本達(dá)標(biāo)，其中阻斷電壓達(dá)1800V以上，飽和壓降2.8V；動(dòng)態(tài)參數(shù)優(yōu)良，其中最關(guān)鍵的下降時(shí)間tf在130ns左右，優(yōu)于國(guó)外多個(gè)廠家同類產(chǎn)品的300ns；5月4日本批產(chǎn)品又通過(guò)了168小時(shí)HTRB(高溫反偏老煉試驗(yàn))可靠性摸底試驗(yàn)。綜合來(lái)看，該批產(chǎn)品在性能上已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，優(yōu)于國(guó)外多個(gè)廠家的同類產(chǎn)品。

　　本次產(chǎn)品的開發(fā)是微電子所首次涉足1700V高壓IGBT研制，采用了完全自主設(shè)計(jì)的終端(2種)和元胞(9種)結(jié)構(gòu)。制造工藝基于國(guó)內(nèi)華虹NEC8吋線，由微電子所負(fù)責(zé)工藝設(shè)計(jì)，工藝線進(jìn)行單項(xiàng)工藝模塊開發(fā)。標(biāo)志著IGBT工藝從設(shè)計(jì)研制到工藝開發(fā)的貫通又上了一個(gè)新的臺(tái)階。

　　微電子所IGBT產(chǎn)品研制在所領(lǐng)導(dǎo)和室領(lǐng)導(dǎo)的關(guān)懷幫助下發(fā)展順利，研究團(tuán)隊(duì)不斷發(fā)展壯大，在近一年的時(shí)間內(nèi)，取得了階段性的成績(jī)。項(xiàng)目組先后承擔(dān)了國(guó)家重大科技專項(xiàng)，中科院院重要方向性項(xiàng)目，中科院“創(chuàng)新2020”首批支撐服務(wù)國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)科技行動(dòng)計(jì)劃專項(xiàng)，院地合作專項(xiàng)等一系列科研項(xiàng)目。產(chǎn)品開發(fā)方面已形成了1200V系列8款，即將形成1700V系列4款等芯片/器件/模塊產(chǎn)品;并已設(shè)計(jì)完成6500V IGBT器件和工藝，1200V & 1700V FRD器件和工藝等，正轉(zhuǎn)入流片階段。IGBT團(tuán)隊(duì)將以更加團(tuán)結(jié)飽滿的熱情、科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)淖谥纪度氲叫碌漠a(chǎn)品的研制開發(fā)中。