高性能射頻產品的世界領先者恩智浦針對高效率射頻功率應用分別推出LDMOS和GaN兩種解決方案

中國上海，2011年6月6日訊--在本周舉行的2011年國際微波會議（IMS2011）上，恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.（Nasdaq: NXP）現場展示了其下一代采用氮化鎵技術（GaN）的產品。此次GaN演示包括：50W寬帶放大器CLF1G0530-50（500-3000MHz）、2.1GHz和2.7GHz Doherty基站功率放大器以及100W放大器CLF1G2435-100（2.5-3.5GHz）。恩智浦與聯合單片半導體公司和弗勞恩霍夫應用固體物理研究所合作開發了高頻率、高功率GaN工藝技術。恩智浦目前是業界能同時提供LDMOS和GaN解決方案的最大半導體廠商。恩智浦首款GaN功率放大器的工程樣片現已面市。

技術要點
恩智浦的GaN器件采用碳化硅基板，提供更佳的射頻和熱性能。
恩智浦GaN產品面向最終客戶的目標應用包括：移動通信、寬帶放大器、ISM、PMR、雷達、航空電子、射頻光源、醫療、CATV、以及移動和廣播用數字發射機。
GaN技術具有高功率密度，將可用于高功率廣播領域，該領域目前仍普遍采用固態真空管功率放大器。
當今幾乎所有的基站功率放大器都局限于幾種特定應用，在這種背景下，恩智浦最新的GaN工藝技術則為人們展現了一個可應用于多系統和多頻率的"通用發射機"藍圖。這將極大地簡化發射機生產和物流環節，讓運營商切換頻段以即時滿足基站的覆蓋區域要求。
恩智浦GaN寬帶功率放大器計劃于2011年底投入量產。

積極評論
ABI Research公司董事Lance Wilson表示："隨著GaN越來越受青瞇，恩智浦等各大主流半導體公司進軍這一領域將有助于驗證GaN在射頻功率半導體方面的技術可行性，并加速其普及推廣。"
恩智浦半導體高級副總裁兼高性能RF總經理John Croteau表示："今年初，我們在歐洲CS會議上展示GaN開發藍圖后，收到了大量來自客戶、合作伙伴和其他半導體公司的積極響應，這主要歸功于我們為方程式帶來的規模經濟效應。在發布GaN新產品的同時，我們將與合作伙伴一起，共同建立歐洲供應鏈，對價值鏈每個環節的成本進行優化，并持續為客戶提供高效率應用的最優替代選擇--LDMOS或GaN。"

關于恩智浦HPRF
恩智浦是高性能射頻領域當之無愧的領軍企業，每年射頻器件出貨量超過40億件。從衛星接收器、蜂窩基站、廣播發射機到工業、科學和醫療（ISM）、航空與國防應用，恩智浦是高性能混合信號IC產品的領頭羊，更是SERDES串口高速轉換器產品公認的領先企業。恩智浦提供高速數據轉換器產品的多種選擇，包括JESD204A標準CGV、CMOS LVCOMS和LVDS DDR接口。這些高速轉換器適用于無線基礎設施、工業、科學、醫療、航空與國防應用。

關于恩智浦半導體
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其領先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數字處理方面的專長，提供高性能混合信號（High Performance Mixed Signal）和標準產品解決方案。這些創新的產品和解決方案可廣泛應用于汽車、智能識別、無線基礎設施、照明、工業、移動、消費和計算等領域。公司在全球逾25個國家都設有業務執行機構，2010年公司營業額達到44億美元。更多恩智浦相關信息，請登錄公司官方網站www.nxp.com 查詢。