日前，高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）宣布，已確保了其針對第二代超高效率功率放大器系列的參考設計方案的成功。該新參考設計方案主要針對高度集成的多模式、多頻段 3G/LTE 解決方案。

　　RFMD 蜂窩產品組 (CPG) 總裁 Eric Creviston 說：“我們非常高興能夠擴展我們與這個頂級芯片供應商的關系，其設計包含了我們的超高效率 3G/4G 功率放大器。RFMD 正為我們的共同客戶提供高性能 3G/4G 交換器及其相關方面系列產品支持，我們期待我們對 3G 和 LTE 參考設計的參與程度的增加能為我們帶來增量增長機會。”

　　通過延長電池壽命和降低智能手機中數據使用的熱影響，RFMD 的第二代超高效率 3G 和 4G LTE 功率放大器可提供更佳的用戶體驗。該產品系列目前覆蓋了 WCDMA 頻帶 1、2、3、4、5 和 8 以及 LTE 頻帶 4、7、11、13、17、18、20 和 21，因此涉及了最常用的 UMTS/HSPA+ 頻帶和頻帶組合。在 2012 年上半年，我們還將推出其他多模式、多頻段 (MMMB) 和單模式 LTE 的型號。

　　RFMD 可提供用于單模和整合式架構的廣泛 3G 和 4G LTE 解決方案，以確保與領先芯片組供應商的一致性及實現全球網絡兼容。RFMD 的 3G 和 4G LTE 產品系列可降低智能手機中數據使用的熱影響，同時能在網上沖浪、視頻電話和互聯網無線電服務等基于數據的應用中實現更長的電池使用時間。