北卡羅來納州格林斯伯勒，2012 年4月26日 -- 高性能射頻組件及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）宣布，擴展其 RFMD 產業領先的氮化鎵工藝技術，以將其列入功率轉換應用中專為高壓功率器件而優化的新技術。

 

RFMD 推出的最新氮化鎵工藝技術 – rGaN-HV-- 可在功率轉換應用（范圍從1 至 50 KW）中大幅度降低系統成本和能量消耗。RFMD的 rGaN-HV 技術可傳送高達900 伏特的擊穿電壓，具有高峰值電流性能，并可在氮化鎵電源開關和二極管之間進行超快速切換。這項新技術可補充 RFMD 的 GaN1工藝和GaN2 工藝，其中GaN1工藝是為高功率射頻應用而優化的，并傳送超過 400 伏特的高擊穿電壓； GaN2 工藝是專為高線性度應用而設計的，并傳送超過 300 伏特的高擊穿電壓。RFMD 將會在北卡羅來納州格林斯伯勒的晶圓廠 (fab) 為客戶制造分立式功率器件，并為代工客戶提供 rGaN-HV 技術以使其能定制功率器件解決方案。

 

RFMD 總裁兼首席執行官 Bob Bruggeworth 表示：“全球對通過提高功率轉換效率來節約能源的需求為基于 RFMD 氮化鎵功率工藝技術的高性能功率器件創造了極大的機會。我們期望我們推出的最新氮化鎵功率工藝將會擴大我們在高電壓功率半導體市場中的機會，而且，我們很高興能夠為外部的代工客戶提供 rGaN-HV 技術，支持他們在高性能功率器件市場上獲得成功。”

 

RFMD 的功率轉換器件產品線和代工服務事業部將于 5月8日-10日在德國紐倫堡的 PCIM 電力工業會議上展示其廣泛的氮化鎵技術和氮化鎵功率產品組合。

 

關于 RFMD 

RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq GS股市代號：RFMD）是高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者。RFMD 實現全球移動性，提供加強的連接性，支持蜂窩手持設備、無線基礎設施、無線本地局域網 (WLAN)、CATV/寬頻以及航空和國防應用的先進功能。RFMD 半導體技術多樣化產品組合以及 RF 系統專業技術享有業界知名度，是全球頂尖移動設備、客戶終端設備以及通信設備提供商中的首選供應商。

 

RFMD 總部位于北卡羅來納州、Greensboro，是一家在全球擁有工程、設計、銷售及服務機構的、且具 ISO 9001、ISO 14001 及 ISO/TS 16949認證的制造商。RFMD 在納斯達克全球精選市場上市交易，交易代碼為 RFMD。更多信息，請訪問 RFMD 網站www.rfmd.com。