2012年5月9日，中國上海訊-碳化硅功率器件的市場領先者科銳公司（Nasdaq:CREE）將重新界定大功率應用的性能和能效，推出全新產品系列-50A碳化硅功率器件。該產品系列不僅包括業界首款1700VZ-FET碳化硅MOSFET器件，還包括1200VZ-FET碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec?碳化硅肖特基二極管，能夠提供創紀錄的能效以及比傳統技術更低的擁有成本，開創了新一代電源系統。

　　科銳50A碳化硅功率器件采用裸芯片形式，針對太陽能功率逆變器、不間斷電源設備以及電機驅動器等大功率模組應用進行設計。該類器件以更小的尺寸、更低的物料成本以及更高的效率使得電力電子工程師能夠為系統擁有成本設定新的標準。

　　科銳副總裁兼功率與射頻總經理CengizBalkas表示："正是科銳通過不斷的創新，以及科銳在碳化硅領域獨創的材料技術、晶圓片工藝和器件設計，才使得這樣技術突破得以實現。大尺寸的芯片能夠實現更多的優勢，使得碳化硅MOSFET器件能夠使用在更高的功率應用中應用，從而能夠取代在大功率、高電壓應用領域中的低效傳統硅IGBT器件。"

　　該系列高額定碳化硅器件的推出保持了科銳在碳化硅技術屢創第一的傳統，如業界第一款1200V碳化硅MOSFET器件以及第一個量產1200V和1700V碳化硅肖特基二極管。

　　科銳全新產品系列50A碳化硅器件包括40mΩ1700VMOSFET器件、25mΩ1200VMOSFET器件以及50A/1700V、50A/1200V和50A/650V肖特基二極管。該產品系列現已提供樣品及基礎數據表，預計2012年秋實現量產。如需索取樣品及進一步了解科銳碳化硅功率器件的更多詳情，敬請訪問：www.cree.com/power。

　　關于科銳（CREE）
　　科銳成立于1987年，是美國上市公司（1993年，納斯達克：CREE），為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業領先者。科銳LED照明產品的優勢體現在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等方面獨一無二的材料技術與先進的白光技術，擁有1,300多項美國專利、2,900多項國際專利和389項中國專利（以上包括已授權和在審專利），使得科銳LED產品始終處于世界領先水平。科銳照明級大功率LED，具有光效高、色點穩、壽命長等優點。科銳在向客戶提供高質量、高可靠發光器件產品的同時也向客戶提供成套的LED照明解決方案。科銳碳化硅金屬氧化物半導體場效應管開關器件（MOSFETSwitch）的導通電阻小、溫度系數穩、漏電流低、開關時間短，以及科銳碳化硅肖特基功率二極管（SchottkyPowerDiode）零反向恢復電流等特性，使得科銳碳化硅功率器件特別適用于高頻、高效、高功率密度、高可靠性需求的電力電子系統。