MIT電氣工程與計算機科學（EECS）部門的工程師朱迪·霍伊特，與其團隊成員在微系統(tǒng)技術(shù)實驗室（MTL）設(shè)計出一種新的p型鍺晶體管。新的晶體管速度達到現(xiàn)今大部分實驗設(shè)計的2倍，市場上p型晶體管速度的4 倍。

為了能夠提升速度，科學家們將鍺放置在不同的硅層上和硅鍺復(fù)合材料上，隨后鍺原子將與硅層結(jié)合起來，拉緊材料迫使最上層材料結(jié)構(gòu)比它們的原始結(jié)構(gòu)更加緊湊。

此圖為實驗室晶體管的顯微照片，藍色高亮部分為迫使鍺原子更加緊湊的拉緊區(qū)域。