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英開發出基于自旋電子技術的3D存儲芯片

2013-02-01 來源:科技日報 字號:

據美國每日科學網1月31日(北京時間)報道,英國劍橋大學的科學家開發出一種新型3D存儲芯片。目前的存儲芯片多為平面結構,數據只能前后左右移動,而這種3D存儲芯片可實現數據在三維空間中的存儲和傳遞,將大幅提高目前存儲設備的存儲能力。相關論文發表在1月31日出版的《自然》雜志上。

論文合著者、劍橋大學博士雷納德·拉沃瑞森說,目前大多數存儲芯片都如同平房一樣,所有一切都發生在同一層面上。而新研究像是建造了一棟樓房,并在各個樓層間架設了樓梯,幫助數據在不同樓層間實現傳遞。

傳統上,存儲芯片采用電子保存數據,硬盤中采用磁性記錄數據,這次研究將這兩種方法進行了融合。劍橋大學的科學家使用了一種被稱為自旋電子芯片的微芯片,即電子功能基于引起磁性的電子旋轉,而不是傳統微芯片使用的電荷。自旋電子正在越來越多的被用于計算機,人們普遍認為,未來幾年中,它們將成為標準的存儲芯片。

為了創建微芯片,他們首先使用了一種被稱為“濺射”的技術,讓鈷、鉑、釕原子在硅芯片上像多層三明治一樣被重疊起來。鈷和鉑的原子存儲數字信息的方式與傳統硬盤類似,而釕原子則充當信使的角色,讓住在不同“樓層”的鈷和鉑原子互通有無。這種“樓梯”的每一節“臺階”只有幾個原子高。研究人員借助激光,通過磁光克爾效應(MOKE)探測不同“樓層”的數據內容。數據的傳輸和移動則通過開關磁場的方式來實現。

負責此項研究的劍橋大學卡文迪什實驗室的拉塞爾·卡本教授說:“這是材料科學威力的一次精彩展示。此前,要實現這樣的效果,我們只能借助一系列的電子晶體管。現在,只需通過對不同元素進行巧妙地組合和利用即可。這是21世紀人們的創造方式,即利用現有的元素和材料創造出前所未有的新功能。”

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