為通信及軍用市場提供世界級完整MMIC解決方案的供應(yīng)商Hittite Microwave公司，最近推出兩款新型的SMT封裝GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器(LNA)，它們理想地適合用于汽車、寬帶、蜂窩/3G、WiMAX/4G、以及0.6至2.9GHz范圍內(nèi)的固定無線應(yīng)用。

HMC718LP4E和HMC719LP4E是砷化鎵pHEMT MMIC低噪聲放大器，額定工作頻帶分別從0.6到1.4GHz和1.3到2.9GHz。這些高線性度低噪聲放大器提供高達(dá)34dB增益和39 dBm的輸出IP3，噪聲數(shù)字低至0.9分貝。這兩款低噪聲放大器都表現(xiàn)出很小的輸入和輸出回波損耗，而且只需要最少的外部匹配和偏置去耦元件。

 

HMC718LP4E和HMC719LP4E有著共同的引腳安排，且都采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的4 × 4毫米QFN SMT封裝。這兩款通用低噪聲放大器可在+3V或+5V偏置電源下工作，并具有外部可調(diào)節(jié)電源電流，這允許設(shè)計(jì)師針對每個(gè)應(yīng)用調(diào)節(jié)低噪聲放大器的線性性能。HMC718LP4E和HMC719LP4E非常適合用于汽車、蜂窩/3G、WiMAX/4G和其它寬帶無線通信基礎(chǔ)設(shè)施的收發(fā)器應(yīng)用中。

關(guān)于Hittite微波公司

Hittite微波公司是創(chuàng)新性的設(shè)計(jì)商和制造商，業(yè)務(wù)覆蓋模擬和混合信號芯片、模塊、RF子系統(tǒng)和儀表、從直流直到110 GHz的微波和毫米波應(yīng)用。公司的RFIC/MMIC產(chǎn)品采用MESFET、HEMT、pHEMT、mHEMT、HBT和PIN器件的最新的GaAs、GaN、InGaP/GaAs、InP、SOI、SiGe、CMOS和BiCMOS半導(dǎo)體工藝開發(fā)。公司的定制和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品支持汽車、寬帶、手機(jī)/3G、光纖、微波與毫米波通信、軍用、測試與測量以及空間市場的大量無線/有線通信和雷達(dá)應(yīng)用。