新日本無線開發(fā)完成了設(shè)有旁通電路低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1138HA8，并開始發(fā)放樣品。該產(chǎn)品面向歐洲，最適用于900MHz頻段W-CDMA模式手機(jī)。

　　【開發(fā)背景】

　　近年來，為了降低手機(jī)成本，RF-IC的CMOS化在不斷地進(jìn)步。以往的低噪聲放大器內(nèi)置于RF-IC內(nèi)，但是CMOS工藝很難構(gòu)成便宜又具有高線形性的低噪聲放大器。所以有必要增加外部元件的低噪聲放大器。因此，要通過CMOS工藝來降低成本，外部元件的高線形性的低噪聲放大器是必要的。NJG1138HA8就是能滿足這種要求的設(shè)有旁通電路低噪聲放大器。用于900MHz頻段W-CDMA模式手機(jī)終端。

　　【產(chǎn)品特征】

　　NJG1138HA8是由低噪聲放大電路・旁通電路・控制用邏輯電路構(gòu)成的低噪聲放大器。具有內(nèi)置高線形性・低消耗電流・ESD保護(hù)電路等特征，并且為防止離基地局較近地區(qū)發(fā)生的強(qiáng)磁場輸入時(shí)所造成的放大器視失真，設(shè)置了不經(jīng)過放大電路的旁通模式(Low gain模式)。

　　--　即實(shí)現(xiàn)了高線形性又低消耗電流　--

　　通過使用高性能HJ FET工藝，即實(shí)現(xiàn)了高線形性 (IIP3 0dBm typ.　@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz)和低消耗電流 (2.3mA typ.　@VCTL=1.8V)。

　　--　實(shí)現(xiàn)了高ESD(Electrostatic Discharge)靜電耐壓　--

　　內(nèi)置保護(hù)元件，用HBM(Human Body Model)方法，實(shí)現(xiàn)了2000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)靜電耐壓

　　【其它】

　　・ 低控制電壓

　　・ 超小超薄封裝　USB6-A8(1.0mmx1.2mmx0.38mm typ.)

　　・ 符合無鉛無鹵化物標(biāo)準(zhǔn)

產(chǎn)品開發(fā)一覽

產(chǎn)品性能及特點(diǎn)概要

●低工作電壓 +2.8V typ.

　　●低控制電壓 +1.8V typ.

　　[high gain 模式]

　　●低消耗電流 2.3mA typ. @VCTL=1.8V

　　●高增益 16.0dB typ. @VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz

　　●低噪聲指數(shù) 1.4dB typ. @VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz

　　●高1dB壓縮時(shí)的輸入電力 -8.5dBm typ. @VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz

　　●高輸入IP3　　　　　　　　　　0dBm typ. @VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz

　　[low gain 模式]

　　●低消耗電流　　　　　　　　　10μA typ. @VCTL=0V

　　●高1dB壓縮時(shí)的輸入電力