松下半導(dǎo)體開發(fā)出了在25GHz毫米波頻帶中最大輸出功率可達(dá)10.7W的GaN（氮化鎵）晶體管。該產(chǎn)品在大口徑晶圓獲取便利、量產(chǎn)性較高的硅底板上制作而成。該公司稱，作為在硅底板上制成的GaN晶體管，達(dá)到了“業(yè)界最高輸出功率”。另外，該公司還確認(rèn)到，在60GHz頻帶中可獲得高達(dá)2.4W/mm的輸出功率密度，稱這一數(shù)值“超過了在SiC（碳化硅）底板上制成的GaN晶體管”。

　　采用此次開發(fā)的GaN晶體管，試制調(diào)制方式采用OFDM（orthogonal frequency division multiplexing）的25GHz收發(fā)器時，能以16Mbit/秒的實(shí)際數(shù)據(jù)傳輸速度獲得2W的平均輸出功率。該公司表示，考慮到收發(fā)天線的增益及大氣中的傳播損耗因素后進(jìn)行試算的結(jié)果表明，可實(shí)現(xiàn)84km的長距離通信。

　　GaN晶體管可實(shí)現(xiàn)高輸出功率的理由有兩點(diǎn)。一是使較大的漏極電流通過。通過提高在硅底板上形成的GaN膜的結(jié)晶性，使高達(dá)1.1A/mm的漏極電流通過。另一個理由是提高了漏極電壓。此次開發(fā)的GaN晶體管為MIS（metal insulator semiconductor）型。該晶體管的柵極絕緣膜通過采用結(jié)晶性較高的SiN（氮化硅）膜，提高了柵極擊穿電壓，實(shí)現(xiàn)了＋55V的漏極電壓。該公司稱，此前一直采用非結(jié)晶狀態(tài)的SiN膜。