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Cypress擴增nvSRAM產品線推出從64kb至1Mb的產品支持I2C與第二代SPI

2011-03-29 來源:微波射頻網 字號:

Cypress 半導體公司推出新款序列非揮發靜態隨機存取記憶體(nvSRAM),支持儀表、工業以及汽車等應用所常用的I2C與SPI界面。新款元件提供高達104MHz的運作時脈,支持各種SPI元件(I2C產品則支持至3.4MHz),并提供一款可選購的整合式即時時脈(RTC),針對備份的關鍵資料提供時戳功能。

Cypress的nvSRAM采用其S8 0.13微米SONOS(硅氧化硅)嵌入式非揮發記憶體技術,造就卓越可靠性與效能。對于各種要求絕對非揮發資料安全性的應用而言,例如智能電表、電力線通訊(PLC)、馬達驅動器、行車記錄器、磁碟陣列、醫療以及資料通訊系統等,nvSRAM是理想的解決方案。

新款序列式nvSRAM系列元件包含1-Mbit、512-Kbit、256-Kbit以及64-Kbit等各種組態版本。這些元件具備卓越的效能,以及高達104MHz的業界第一SPI運作頻率,支持SPI Modes 0 與3模式、無限的讀/寫與RECALL記憶次數、以及長達20年的資料保存期。這些元件符合業界標準的小底面積8-SOIC與16-SOIC封裝。

Cypress公司非揮發產品事業部資深總監Jithender Majjiga表示:“我們的顧客鼓勵我們在現有的并列式nvSRAM產品線中,擴增這些序列界面產品,因為nvSRAM是一種可行而且高度量產的CMOS基礎解決方案。其他廠商的解決方案都采用非標準制程技術,因此顧客很難得到穩定的單一貨源。Cypress可靠且彈性的供應鏈,加上高品質的制造技術,有充分的能力滿足序列產品市場的大量需求。 ”

作為SONOS制程技術的領導者,Cypress正將S8技術套用到新一代PSoC 混合信號陣列元件、可編程時脈等眾多產品。 SONOS相容于標準CMOS技術,并提供多不勝數的優點,包括高耐用度、低功耗以及抗輻射等。 Cypress的S8? 0.13微米SONOS技術已在其內部晶圓廠與多家晶圓代工伙伴的工廠中通過測試驗證。 SONOS提供更卓越的擴充性與可制性,勝過其他磁性或鐵電型非揮發記憶體技術。

Cypress的序列nvSRAM提供I2C (1-Mbit: CY14B101J) 與SPI (1-Mbit: CY14B101QA) 界面,采用小底面積的8-SOIC與16-SOIC封裝。此款元件提供512-Kbit、256-Kbit、以及64-Kbit 等密度版本,還可選購內建即時時脈的版本。新款元件目前開始送樣,預計4月起開始量產。

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