科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出可適用于軍用和商用S 波段雷達中的高效GaN HEMT 晶體管。

　　新型S波段GaN HEMT 晶體管的額定功率為60W，頻率為 3.1至3.5GHz 之間，與傳統Si或 GaAs MESFET 器件相比，能夠提供優越的漏極效率(接近70%)。同時，高效率和高功率密度的結合有助于最大限度地降低散熱的要求，并減少在商用雷達系統應用中的尺寸與重量。

　　科銳無線射頻(RF)及微波部門總監 Jim Milligan表示：“新型 S 波段 GaN HEMT 器件的推出豐富了科銳高效 S 波段GaN晶體管與單片式微波集成電路(MMIC)產品系列，從而為客戶在商用雷達系統高功率放大電路的應用中提供更多的選擇。高效的 S 波段 GaN HEMT 器件率，在具有優異信號保真度的同時擴展脈沖能力，并最大限度地降低散熱管理需求，從而能夠幫助無線射頻設計工程師大幅度地降低雷達系統的尺寸和重量，同時擴大應用范圍并降低安裝成本。”

　　科銳 CGH35060 GaN HEMT 晶體管28V 工作電壓下的額定脈沖功率為 60W(當脈寬為100微秒時)，功率增益為12dB，漏極效率為 65%，與傳統硅 LDMOS 器件相比高出50%。CGH35060 型 GaN 器件已經在高功率放大器參考設計(S 波段頻率在3.1至3.5GHz 之間)中得到驗證。與 GaAs和Si技術相比，CGH35060 還具有長脈沖、高功率性能(低于0.6dB)、優異的信號保真度以及非常低的功率衰減等特性。

　　新型GaN HEMT晶體管與科銳S波段全套產品系列相匹配，包括CGH31240F/CGH35240F全面匹配240W GaN HEMT器件(2.7-2.9GHz / 3.1-3.5GHz)以及CMPA2735075F兩級封裝GaN HEMT 單片式微波集成電路(MMIC)。

　　如欲了解更多最新S波段GaN HEMT器件詳情，敬請訪問：www.cree.com。