中國上海－2012年12月18 日－技術創新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵(GaN) HEMT 射頻功率晶體管產品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半，同時改進效率和增益。這些新的氮化鎵晶體管可在直流至6 GHz寬廣的工作頻率上提供30-37W (CW) 射頻輸出功率。它們是商業通信和測試設備系統等類似的寬帶系統應用的理想選擇。
TriQuint新的氮化鎵功率晶體管包括28V的T1G6003028-FS，其工作頻率為直流至6 GHz，提供30W的輸出功率，在3.5 GHz和6 GHz頻率時的效率分別為55%和44%。T1G6003028-FL提供相同的性能，并且采用法蘭封裝來滿足不同封裝的要求。TriQuint新的32V的T1G4003532-FS和法蘭封裝的T1G4003532-FL是用于S波段及類似應用的理想選擇。它們在直流至3.5 GHz工作頻率下提供37W (CW) 輸出功率。上述兩種32V器件均在3.5GHz和6 GHz分別提供大于16dB和10dB的增益；其附加功率效率(PAE)在5GHz和6GHz分別為60%和49.6%。
所有四款新的氮化鎵晶體管均可承受高達10:1的駐波比(VSWR) 失配而不損害功能，同時為在高漏偏壓條件下工作而優化，從而降低系統成本和散熱管理成本。所有器件均可出口至大多數國家；詳情請與TriQuint聯系。
技術規格– 新的TriQuint 氮化鎵晶體管：
| T1G6003028-FS | 直流至6 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：30W；在3.5 GHz時, 增益為14dB；在6 GHz時，增益為10dB；漏極效率：在3.5 GHz時為55%, 在6GHz時為44%；28V在200 mA，承受10:1 駐波比，EAR99無法蘭封裝。 |
| T1G6003028-FL | 直流至6 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：30W；在3.5 GHz時, 增益為14dB；在6 GHz時，增益為10dB；漏極效率：在3.5 GHz時為55%, 在6GHz時為44%；28V在200 mA，承受10:1 駐波比，EAR99法蘭封裝。 |
| T1G4003532-FS | 直流至3.5 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：30W CW；在3.5 GHz時, 增益超過16dB；在6 GHz時，增益為10dB；附加功率效率：在5 GHz時為60%, 在6GHz時為49.6%；32V在2.4 A，承受10:1 駐波比，EAR99無法蘭封裝。 |
| T1G4003532-FL | 直流至3.5 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：37W CW；在3.5 GHz時, 增益超過16dB；在6 GHz時，增益為10dB；附加功率效率：在5 GHz時為60%, 在6GHz時為49.6%；32V在2.4 A，承受10:1 駐波比，EAR99無法蘭封裝。 |
如需樣品和評估板請聯系產品營銷部。訪問TriQuint網站來接洽所在地區的銷售代表。
關于TriQuint
成立于1985年的TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT）是提供世界領先水平的通信、國防和航空航天公司創新射頻解決方案與代工服務的全球領先供應商。世界各地的人們和組織都需要實時、不間斷的通信聯系；TriQuint產品可幫助降低用于提供關鍵語音、數據和視頻通信的互聯移動設備與網絡的成本和提高它們的性能。憑借業內最廣泛的技術系列、公認的研發領先地位以及在大規模制造領域的專業知識，TriQuint生產基于砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、聲表面波(SAW) 和體聲波(BAW) 技術的標準及定制產品。該公司在美國擁有多家已通過ISO9001認證的制造工廠，在哥斯達黎加擁有生產中心，在北美地區和德國擁有設計中心。欲知更多信息請訪問http://cn.triquint.com/。
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