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首爾半導(dǎo)體推出利用GaN晶體非極性面的白光LED
韓國首爾半導(dǎo)體（Seoul Semiconductor）開發(fā)出了在1mm見方藍(lán)光LED芯片上組合熒光材料，實(shí)現(xiàn)了光通量為500lm左右的白光LED，并在“日本第5屆新一代照 明技術(shù)展”（2013年1月16～18日于東京有明國際會(huì)展中心舉行）上展出。該開發(fā)品的特點(diǎn)是比以前的產(chǎn)品更容易提高亮度。目前，三菱化學(xué)媒體公司 (Mitsubishi Kagaku Media)已決定在LED燈泡產(chǎn)品（品牌名稱為“Verbatim”）上采用此次的開發(fā)品，預(yù)定從本月開始量產(chǎn)。
可輕松提高光輸出功率是因?yàn)槔昧薌aN晶體的“非極性面”，并且抑制了晶體缺陷。此次開發(fā)品使用的藍(lán)光LED芯片是在三菱化學(xué)制造的GaN基板的非極性面上、生長出GaN類半導(dǎo)體晶體而成。
普通的藍(lán)光LED芯片是使GaN類半導(dǎo)體在藍(lán)寶石基板上生長而成的，此時(shí)利用的是GaN晶體的c面（極性面）。
非極性面是與極性面垂直的面。以極性面為生長面時(shí)會(huì)產(chǎn)生壓電電場，使注入發(fā)光層的電子與空穴分離，導(dǎo)致促成發(fā)光的再結(jié)合概率降低。而以非極面為生長面則不易受到壓電電場的影響，因此可輕松提高發(fā)光效率。
此次開發(fā)品的晶體缺陷最少時(shí)僅為1×104cm-2。普通的藍(lán)光LED芯片由于藍(lán)寶石基板與藍(lán)寶石基板上的GaN類半導(dǎo)體的晶格常數(shù)有很大差異，因此晶體缺陷密度達(dá)到5×108cm-2。
憑借上述手段，開發(fā)品即使在高電流密度下，光輸出功率也不易降低，從而提高了單個(gè)白光LED的光輸出功率。今后的目標(biāo)是通過1mm見方的藍(lán)光LED芯片與熒光體的組合，實(shí)現(xiàn)1000lm的光通量。
首爾半導(dǎo)體還在展區(qū)介紹稱，該公司正在開發(fā)利用GaN晶體非極性面的紫外LED芯片。將紫外LED芯片與紅、綠、藍(lán)色熒光材料組合后，便可 輕松實(shí)現(xiàn)顯色性高的照明及色彩表現(xiàn)范圍大的液晶面板用背照燈。不過，紫外LED目前還存在發(fā)光效率比藍(lán)光LED低的課題。因此，該公司打算利用非極性面來 實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率的紫外LED。
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