東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布，為其用于基站和服務器的通用直流-直流轉換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產品。這些產品使用最新的第八代低電壓溝槽結構，并實現了頂尖低導通電阻和高速交換性能。即日開始批量生產。
主要功能
1. 使用第八代低電壓溝槽結構，并實現了頂尖[1]低導通電阻
2. 實現了低內部柵極電阻和低柵極容量比(Cgd/Cgs)，這有助于防止自動開機現象。
東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布，為其用于基站和服務器的通用直流-直流轉換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產品。這些產品使用最新的第八代低電壓溝槽結構，并實現了頂尖低導通電阻和高速交換性能。即日開始批量生產。
主要功能
1. 使用第八代低電壓溝槽結構，并實現了頂尖[1]低導通電阻
2. 實現了低內部柵極電阻和低柵極容量比(Cgd/Cgs)，這有助于防止自動開機現象。
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