RFMD宣布推出全球首款6英寸用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）晶圓，以滿足軍用和商用需求。RFMD實(shí)現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6英寸砷化鎵（GaAs）晶圓生產(chǎn)向6英寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)的轉(zhuǎn)變，以降低平臺(tái)成本從而滿足不斷增長(zhǎng)的氮化鎵器件市場(chǎng)需求。

“我們很高興在RFMD現(xiàn)有高產(chǎn)量6英寸砷化鎵生產(chǎn)線上推出業(yè)界首款6英寸碳化硅基氮化鎵射頻技術(shù)。”RFMD公司總裁兼CEO Bob Bruggeworth表示，“氮化鎵器件和砷化鎵器件在制造上的合并是我們“砷化鎵中氮化鎵代工廠”（GaN-in-GaAs Fab）策略的一部分，通過制造創(chuàng)新型氮化鎵基產(chǎn)品使現(xiàn)存代工廠更好地抓住增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。”

據(jù)行業(yè)分析公司Strategy Analytics的數(shù)據(jù)顯示，2017年氮化鎵微電子市場(chǎng)將是現(xiàn)在的三倍，達(dá)到3.34億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）達(dá)28%。該市場(chǎng)增長(zhǎng)由軍用（雷達(dá)、電子戰(zhàn)、通信）和商用（電源管理、蜂窩通信、有限電視、移動(dòng)式無(wú)線電通信）共同推動(dòng)。

“利用我們?cè)?英寸砷化鎵制造技術(shù)的領(lǐng)先地位和高產(chǎn)量的專業(yè)知識(shí)，RFMD公司有能力增加6英寸氮化鎵的性能，來(lái)推出新的射頻功率產(chǎn)品，以此加速我們?cè)谕ㄐ拧⒂芯€電視、能量轉(zhuǎn)換、雷達(dá)、干擾、宇航和代工業(yè)務(wù)中的利潤(rùn)增長(zhǎng)。”RFMD公司功率寬帶部副總裁Jeff Shealy博士表示。

氮化鎵技術(shù)可在小面積內(nèi)支持寬頻帶和高擊穿電壓。6英寸氮化鎵晶圓所能提供的有效面積是目前4英寸氮化鎵晶圓的2.5倍，因此每個(gè)晶圓所產(chǎn)出的射頻功率器件數(shù)也增加2.5倍。晶圓面積越大，隨之每個(gè)單位面積的成本越低，是為軍用和商用提供廉價(jià)、高性能單片毫米波集成電路（MMIC）的關(guān)鍵。

RFMD預(yù)計(jì)在2014年將完成對(duì)6英寸氮化鎵平臺(tái)的驗(yàn)證。