新產品運用了“TaRF5”——一種采用絕緣硅（SOI）技術打造的新一代TarfSOI（東芝先進的RF SOI）工藝。相較于采用TaRF3工藝打造的產品而言，采用TaRF5工藝打造的新樣品的插入損耗（f=2.7GHz）改善了25%，尺寸縮小了40%。這些改進可延長電池工作時間，縮小安裝空間，還有助于縮小應用產品的尺寸。

自從2009年為智能手機射頻天線開關開發SOI-CMOS工藝以來，東芝已經相繼開發出了可改善性能的新一代工藝和設備。隨著LTE和LTE-Advanced相繼在全球獲得采用，市場對射頻天線開關的需求也傾向于多端口與復雜功能。為滿足這些市場需求，東芝計劃繼續開發低插入損耗、小尺寸的產品。