中國上海－2013年1月16 日－技術創新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT），推出全球最小的線性EDGE發射模塊---QUANTUM Tx™ TQM6M9085。該模塊的體積比前代產品小35%，為現今結構緊湊的移動設備節省寶貴的電路板空間。同時，該模塊具有功率附加效率為45%的一流性能，提供更長電池續航時間，給予移動設備使用者更長操作時間。

與領先的芯片供應商配合，TriQuint的新QUANTUM Tx™ TQM6M9085發射模塊提供更多的保證。在一個結構緊湊的5.25 x 6mm占位面積，此新的模塊向手機設計者提供砷化鎵(GaAs) 異質結雙極晶體管(HBT) 性能的所有優勢。其在低直流電源下的高增益線性工作模式使它非常適用于要求高效率的下一代設備。該集成式模塊還具有附加開關端口以支持更多頻帶，為智能手機、功能手機和低成本的純語音手機提供更大的設計靈活性。

該新產品是獲得市場成功的TriQuint QUANTUM Tx™發射模塊系列的最新成員，該系列產品已深深扎根于射頻市場。一些世界領先的移動手持終端制造商包括三星、華為和中興通訊,都選擇了TriQuint的QUANTUM Tx發射模塊。迄今，TriQuint的出貨量已接近2億單元。TriQuint在2011年增加了40%的制造能力，以支持客戶不斷增加的移動設備產品組合的需求。

TriQuint新的TQM6M9085發射模塊是一種完全匹配式SP8T WEDGE的發射模塊，提供2G 射頻功率放大、功率控制和3G頻帶切換的功能。與分立解決方案相比，由于不需要對放大器和開關之間進行優化匹配，該模塊可以幫助客戶加快產品上市速度。它提供最先進GSM/EDGE效率，可減少總體物料清單，并允許進行靈活的單一手機電路板布局，最多可支持四個WCDMA/LTE的工作頻帶。

TQM6M9085設計采用了TriQuint先進的InGaP HBT技術及CuFlip™工藝封裝，提供最先進的可靠性、溫度穩定性和堅固性。

與分立解決方案相比，TriQuint高集成度的發射模塊提供：
• 更低成本– 用一個緊湊模塊替代多達九個分立部件，幫助減少物料清單和庫存。
•更佳性能– 實現高功率附加效率(PAE) 來延長電池續航時間。 
•更小尺寸– 利用CuFlip™等先進技術來顯著減少印刷電路板空間占用。

TriQuint的QUANTUM Tx發射模塊已獲得了多個設計項目開發。早些時候推出的TQM6M4068是業內最小的發射模塊并獲得了2011年EDN China創新獎中的“最佳產品”獎。該模塊已獲準用于MediaTek的芯片組參考設計，并已被許多新的2G手機平臺選用。TQM6M9069模塊具有同樣小的5x6 mm占位面積，但增加了3G/4G支持。兩種模塊都有助于簡化移動設備設計，并顯示了TriQuint在集成領域的優勢。

關于TriQuint
成立于1985年的TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT）是提供世界領先水平的通信、國防和航空航天公司創新射頻解決方案與代工服務的全球領先供應商。世界各地的人們和組織都需要實時、不間斷的通信聯系；TriQuint產品可幫助降低用于提供關鍵語音、數據和視頻通信的互聯移動設備與網絡的成本和提高它們的性能。憑借業內最廣泛的技術系列、公認的研發領先地位以及在大規模制造領域的專業知識，TriQuint生產基于砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、聲表面波(SAW) 和體聲波(BAW) 技術的標準及定制產品。該公司在美國擁有多家已通過ISO9001認證的制造工廠，在哥斯達黎加擁有生產中心，在北美地區和德國擁有設計中心。