近日，科銳公司（Cree, Inc. ，Nasdaq: CREE）推出業(yè)內(nèi)最大功率連續(xù)波（CW）射頻氮化鎵（GaN）高電子遷移率（HEMT）晶體管，該晶體管采用雙扁平無(wú)引腳（DFN）封裝方式。該新型6 W和25 W器件主要針對(duì)的是成本敏感、功率小于100瓦的商用雷達(dá)和數(shù)據(jù)鏈路放大器市場(chǎng)，可在C和X波段有效替代效率較低的砷化鎵（GaAs）器件，也可有效替代天氣、海洋和監(jiān)視等商用雷達(dá)所用的壽命較短的真空管器件。

基于科銳已經(jīng)驗(yàn)證的40 V、0.25µm柵長(zhǎng)高頻工藝，Cree®氮化鎵DFN晶體管可將砷化鎵內(nèi)部配備場(chǎng)效應(yīng)晶體管（IMFET）的飽和輸出功率（PSAT）效率和增益提升2倍，而封裝尺寸僅為同等功率和頻率砷化鎵器件體積的1/20。在企業(yè)、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和機(jī)載通信網(wǎng)絡(luò)的大容量微波數(shù)據(jù)鏈路中，新的晶體管拓展了通信范圍，并提供2倍于砷化鎵放大器的線性效率。高效率為射頻器件設(shè)計(jì)人員提供了靈活性，可減少放大器的體積和重量，節(jié)約運(yùn)行和整個(gè)壽命周期內(nèi)的成本。

“多年以來(lái)，商用微波雷達(dá)發(fā)射器一直困擾于真空放大器有限的壽命，這導(dǎo)致巨大的維護(hù)成本。從歷史上看，大容量數(shù)據(jù)鏈路受限于砷化鎵IMFET的低效。”科銳公司的射頻銷(xiāo)售和市場(chǎng)部總監(jiān)Tom Dekker 表示“通過(guò)以可以承受的價(jià)格提供卓越的效率和功率能力，我們的氮化鎵DFN晶體管首次在低功耗、成本敏感的商用系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了對(duì)這些傳統(tǒng)技術(shù)的替代。”

新的DFN器件也可作為科銳公司的CGHV96100和CGHV96050F2全匹配場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)而用于X波段，使得輸出級(jí)和驅(qū)動(dòng)級(jí)晶體管能夠工作在同樣的電壓水平上，與混合電壓晶體管陣列相比，這帶來(lái)方便的規(guī)律的功率分配，可有效節(jié)約電路板空間。

CGHV1F006S（6 W）和CGHV1F025S（25 W）氮化鎵DFN晶體管已可用于C波段和X波段的試樣和設(shè)計(jì)參考。安捷倫公司的ADS和AWR 公司的Microwave Office仿真器也提供該器件的大信號(hào)模型。