三菱電機株式會社近日宣布開發(fā)出一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），能提供頂級*高輸出功率和效率，工作在3.5GHz頻段，可用于第四代（4G）移動通信基站。該器件樣片將在2015年4月1日推出。

隨著LTE和LTE-Advanced移動網絡的發(fā)展，迫切需要發(fā)送數(shù)據(jù)量大、體積小巧、功耗更低的通信基站。為滿足這一需要，三菱電機為宏基站收發(fā)臺和微蜂窩基站收發(fā)臺應用開發(fā)了世界領先級的高輸出功率、高效率的氮化鎵高電子遷移率晶體管。

MGFS50G38FT1 (左) ，MGFS39G38L2 (右)

產品特性：

· 世界領先的100W功率輸出，可用于宏蜂窩基站收發(fā)臺

○ 通過晶體管優(yōu)化實現(xiàn)高輸出功率
○ 有助于擴大基站的覆蓋范圍

· 通過采用氮化鎵高電子遷移率晶體管和晶體管優(yōu)化，實現(xiàn)高效率

○ 高效率有助于降低基站收發(fā)臺的尺寸和功耗
○ 用于宏蜂窩基站收發(fā)臺的100W器件（MGFS50G38FT1）的漏極效率達74%
○ 用于微蜂窩基站收發(fā)臺的9W器件（MGFS39G38L2）的漏極效率達67%
○ 高效率簡化了制冷系統(tǒng)的設計，有助于減小尺寸和功率消耗

*：截至2015年3月11日，根據(jù)本公司調查。