三菱電機株式會社近日宣布開發出一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），能提供頂級*高輸出功率和效率，工作在3.5GHz頻段，可用于第四代（4G）移動通信基站。該器件樣片將在2015年4月1日推出。

隨著LTE和LTE-Advanced移動網絡的發展，迫切需要發送數據量大、體積小巧、功耗更低的通信基站。為滿足這一需要，三菱電機為宏基站收發臺和微蜂窩基站收發臺應用開發了世界領先級的高輸出功率、高效率的氮化鎵高電子遷移率晶體管。

MGFS50G38FT1 (左) ，MGFS39G38L2 (右)

產品特性：

· 世界領先的100W功率輸出，可用于宏蜂窩基站收發臺

○ 通過晶體管優化實現高輸出功率
○ 有助于擴大基站的覆蓋范圍

· 通過采用氮化鎵高電子遷移率晶體管和晶體管優化，實現高效率

○ 高效率有助于降低基站收發臺的尺寸和功耗
○ 用于宏蜂窩基站收發臺的100W器件（MGFS50G38FT1）的漏極效率達74%
○ 用于微蜂窩基站收發臺的9W器件（MGFS39G38L2）的漏極效率達67%
○ 高效率簡化了制冷系統的設計，有助于減小尺寸和功率消耗

*：截至2015年3月11日，根據本公司調查。