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英飛凌新一代CoolMOS?可減少50%的開關(guān)損耗

2015-05-22 來(lái)源:微波射頻網(wǎng) 字號(hào):

專用EiceDRIVER™ IC 可進(jìn)一步節(jié)省空間和設(shè)計(jì)成本

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出全新的CoolMOS™ C7系列超結(jié)(SJ)MOSFET家族。該600 V系列相比CoolMOS™ CP可減少50%的開關(guān)損耗,在PFC、TTF和其他硬切換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中可實(shí)現(xiàn)和GaN類似的性能水平。CoolMOS C7在業(yè)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)1 Ω/mm2的面比電阻(RDS(ON)*A),它進(jìn)一步擴(kuò)展了英飛凌的最低每封裝RDS(ON)產(chǎn)品組合,可支持客戶進(jìn)一步提高功率密度。全新CoolMOS系列具備超低開關(guān)損耗,適合大功率開關(guān)電源(SMPS)應(yīng)用——比如服務(wù)器、電信、太陽(yáng)能以及需要提高效率、降低組件成本(BoM)和總擁有成本(TCO)的工業(yè)應(yīng)用。

英飛凌新一代CoolMOS?可減少50%的開關(guān)損耗; 專用EiceDRIVER? IC 可進(jìn)一步節(jié)省空間和設(shè)計(jì)成本

CoolMOS C7可降低超大型數(shù)據(jù)中心和電信基站等要求提高效率和降低TCO的應(yīng)用的開關(guān)損耗。CoolMOS C7可使PFC和LLC拓?fù)涞男史謩e提高0.3%-0.7%和0.1%,這有利于顯著降低總擁有成本。對(duì)于2.5 kW的服務(wù)器PSU,使用C7 600 V MOSFET可將因PSU能量損失導(dǎo)致的能源成本降低10%左右。

在企業(yè)服務(wù)器等關(guān)注組件和其他成本的應(yīng)用中,CoolMOS C7 600 V器件可幫助降低磁性元件成本。由于柵極電荷和輸出電容顯著降低,C7的開關(guān)頻率是CoolMOS™ CP的兩倍,但效率僅稍遜于CoolMOS™ CP。這有助于最大限度縮小磁性元件尺寸,降低組件總成本。比如,開關(guān)頻率從65 kHz增大一倍至130 kHz時(shí),磁性元件成本可降低30%之多。

CoolMOS C7 600 V家族產(chǎn)品將在兩個(gè)300毫米晶圓廠制造,可為客戶提供供貨保障。該家族產(chǎn)品囊括RDS(ON)值和封裝各不相同的眾多型號(hào),首發(fā)型號(hào)包括采用極具創(chuàng)新性的TO-247 4管腳封裝的型號(hào)。這種4管腳封裝它可消除因快速瞬變導(dǎo)致的電源電感電壓降,從而將滿載效率最多提高0.4%。

英飛凌副總裁兼AC/DC產(chǎn)品線總經(jīng)理Peter Wawer表示:“作為英飛凌高壓MOSFET產(chǎn)品組合的一部分,全新CoolMOS C7 600V家族是英飛凌預(yù)計(jì)2016年初推出的GaN器件的重要‘奠基石’。依托已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)的現(xiàn)成、可靠的技術(shù),CoolMOS C7器件可最大限度降低開關(guān)損耗,實(shí)現(xiàn)高達(dá)200 kHz的開關(guān)頻率,而英飛凌的GaN技術(shù)將進(jìn)一步擴(kuò)大頻率范圍,支持新型拓?fù)洹?rdquo;

與CoolMOS C7 600 V形成互補(bǔ)、搭載行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)管腳的英飛凌全新2EDN7524 EiceDRIVER™ IC,擁有兩個(gè)獨(dú)立的非隔離式低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器可支持5 A的源匯峰值電流。兩個(gè)通道都能實(shí)現(xiàn)典型的5 ns上升和下降時(shí)間,而1 ns的通道間延時(shí)匹配方便設(shè)置同步切換,使總驅(qū)動(dòng)電流增加一倍。雖然電流增大,但輸出級(jí)的RDS(ON)非常低,這可最大限度降低驅(qū)動(dòng)器的功耗——即便使用非常小的柵極電阻、或者不用任何外部柵極電阻。因?yàn)轵?qū)動(dòng)器IC能兼容控制和啟用輸入端高達(dá)-10 VDC的電壓,所以它能有效應(yīng)對(duì)接地反彈,提高系統(tǒng)可靠性。

供貨情況

CoolMOS C7 600 V MOSFET的首發(fā)型號(hào)包括采用TO-220、TO-247和TO-247 4管腳封裝,RDS(ON)從40 mΩ到180 mΩ不等的型號(hào)。采用TO-220 FP、DPAK、D2PAK、ThinPAK封裝,以及具備不同RDS(ON)值的型號(hào),將在2015年第三季度推出。采用DSO-8封裝的2EDN7524 MOSFET驅(qū)動(dòng)器將在2015年8月開始量產(chǎn)。更多封裝和功能選項(xiàng)將在2015年第四季度提供。

英飛凌參加2015年德國(guó)紐倫堡電力電子系統(tǒng)及元器件展

在2015年5月19-21日于德國(guó)紐倫堡舉行的電力電子系統(tǒng)及元器件展9號(hào)展廳第412號(hào)展臺(tái),英飛凌將展出CoolMOS C7 600 V和2EDN7524 MOSFET驅(qū)動(dòng)器、以及其他面向創(chuàng)新系統(tǒng)的解決方案。

關(guān)于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體科技公司,致力于通過(guò)產(chǎn)品和系統(tǒng)方案為現(xiàn)代社會(huì)解決三大重要挑戰(zhàn):高能效、移動(dòng)性和安全性。2014財(cái)年(截止9月30日),公司的銷售額達(dá)43 億歐元,在全球范圍內(nèi)擁有約29,800名員工。2015年1月,英飛凌收購(gòu)美國(guó)國(guó)際整流器公司,該公司是電源管理技術(shù)行業(yè)的領(lǐng)先供應(yīng)商,年收入達(dá)11億美元(2014 財(cái)年,該財(cái)年于6月29日結(jié)束),約4,200名員工。英飛凌在法蘭克福證券交易所(股票代碼:IFX)和美國(guó)柜臺(tái)交易市場(chǎng)OTCQX International Premier(股票代碼:IFNNY)掛牌上市。

英飛凌在中國(guó)

英飛凌科技股份公司于1995年正式進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)。自1996年在無(wú)錫建立第一家企業(yè)以來(lái),英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長(zhǎng),在中國(guó)擁有約1700多名員工,已經(jīng)成為英飛凌亞太乃至全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動(dòng)力。英飛凌在中國(guó)建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場(chǎng)、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷售、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。

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