SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴展了產(chǎn)品組合，能夠應(yīng)對市場更新的設(shè)計挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領(lǐng)先于900V超結(jié)Si基MOSFET技術(shù)，擴大了終端系統(tǒng)的功率范圍，在更高溫度時仍能提供低導(dǎo)通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統(tǒng)的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問題。與目前的Si基方案相比，900V SiC MOSFET平臺為電源轉(zhuǎn)換設(shè)計者提供了更多的創(chuàng)新空間，方便實現(xiàn)尺寸更小、速度更快、溫度更低、效率更高的電源設(shè)計方案。這也是新一代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)與硅成本平價的解決方案。

圖基于900V SiC MOSFET平臺的C3M0065090J

世強代理的C3M0065090J，是該平臺的主導(dǎo)產(chǎn)品，其額定工作電壓/電流分別為900V/32A；在25°C條件下，可以實現(xiàn)最低至65 mΩ的額定導(dǎo)通電阻，在更高溫度(Tj=150°C)工作時，導(dǎo)通電阻Rds(ON)也只有90mΩ，減少了系統(tǒng)的冷卻需求。另外，該產(chǎn)品不僅擁有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO247-3/TO220-3封裝，還能夠提供低阻抗D2Pak-7L表面貼封裝，采用了開爾文(Kelvin)連接以幫助減小柵極振蕩。C3M0065090J適合用于包括可再生能源逆變器、電動汽車充電系統(tǒng)、三相工業(yè)電源、高電壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、關(guān)模式電源在內(nèi)的高頻電力電子應(yīng)用。

目前，世強已全面代理了Cree SiC相關(guān)產(chǎn)品，并且保證具有競爭力的價格，歡迎致電400-887-3266咨詢訂購。

C3M0065090J的功能與特點：

 • 采用卓越的C3M SiC Mosfet平面技術(shù)，n溝道增強型場效應(yīng)晶體管技術(shù)；
 • 高阻斷電壓、高開關(guān)頻率、高功率密度；
 • 應(yīng)用快速體二極管，反向恢復(fù)時間短；
 • 額定電壓/電流值為900V/32A，額定導(dǎo)通電阻最低至65mΩ(25°C)、90mΩ（Tj=150°C）；
 • 標(biāo)準(zhǔn)TO247-3/TO220-3封裝和低阻抗D2Pak-7L表面貼封裝；
 • 無鹵素、通過無鉛認(rèn)證；

相關(guān)產(chǎn)品詳情

碳化硅MOSFET

C3M0065090J 

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