雙路增強(qiáng)型120 V、60 m?氮化鎵集成電路（EPC2110）可實(shí)現(xiàn)超高頻開(kāi)關(guān)，從而推動(dòng)采用E類放大器拓?fù)涞臒o(wú)線電源傳送應(yīng)用實(shí)現(xiàn)優(yōu)越性能。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出增強(qiáng)型氮化鎵IC系列的最新成員-- EPC2110。

EPC2110是一種具有120 VDS、20 A的雙路共源極器件，它采用非常纖薄的封裝（1.35 mm x 1.35 mm），于柵極施加5 V電壓時(shí)的最高RDS(on) 為60 m?。由于EPC2110具備超高開(kāi)關(guān)頻率、超低RDS(on)、異常低的QG及采用非常纖薄的封裝，因此這種氮化鎵IC可以實(shí)現(xiàn)高性能。

與最先進(jìn)、具相同的導(dǎo)通電阻的功率MOSFET相比，EPC2110細(xì)小很多， 而且它的開(kāi)關(guān)性能比MOSFET高出很多倍。受惠于這種高性能eGaN® IC的應(yīng)用包括超高頻DC/DC轉(zhuǎn)換、同步整流、D類音頻放大器及尤其是無(wú)線電源傳送應(yīng)用。

EPC2110在批量為一千片時(shí)的單價(jià)為1.06美元,可立即透過(guò)Digikey公司購(gòu)買(mǎi)。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司簡(jiǎn)介

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、 無(wú)線電源傳送、 包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、光學(xué)遙感技術(shù)（LiDAR） 及D類音頻放大器 等應(yīng)用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。詳情請(qǐng)瀏覽我們的網(wǎng)站，網(wǎng)址為www.epc-co.com.cn 。

商標(biāo)

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉(zhuǎn)換公司的注冊(cè)商標(biāo)。