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中芯國際推出28納米HKMG制程 與聯芯打造智能手機SoC芯片

2016-02-17 來源:微波射頻網 字號:

中芯國際集成電路制造有限公司(簡稱“中芯國際”,紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯交所股票代碼:981),與大唐電信科技產業集團旗下聯芯科技有限公司(簡稱“聯芯科技”),近日共同宣布,中芯國際28納米高介電常數金屬閘極(HKMG)制程已成功流片,基于此平臺,聯芯科技推出適用于智能手機等領域的28納米SoC芯片,包括高性能應用處理器和移動基帶功能,目前已通過驗證,準備進入量產階段。

中芯國際推出28納米HKMG制程 與聯芯打造智能手機SoC芯片

中芯國際董事長周子學博士與大唐電信科技產業集團董事長、總裁真才基使用中國品牌智能手機,該手機搭載了聯芯科技28納米4G SoC 芯片,該芯片基于中芯國際28納米HKMG技術平臺打造。

中芯國際是中國大陸首家能夠同時提供28納米多晶硅(PolySiON)和HKMG制程的晶圓代工企業。與傳統的PolySiON制程相比,中芯國際28納米HKMG技術將有效改善驅動能力,進而提升晶體管的性能,同時大幅降低柵極漏電量。基于中芯國際28納米HKMG制程平臺,聯芯科技推出的智能手機SoC芯片擁有更高的性能、更快的速度以及更低的功耗,CPU主頻達1.6GHz。延續聯芯科技在4G移動通信市場的佳績,該芯片的面世將推動搭載“中國芯”的智能手機進一步擴大市場份額。

中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈云表示,“很高興能與聯芯科技在28納米HKMG平臺進行合作,共同打造先進的智能手機SoC芯片。繼采用中芯國際28納米PolySiON制程的芯片加載主流智能手機后,我們的28納米HKMG工藝也獲得了終端客戶的認可,商用在即。我們還將持續進行28納米技術平臺的開發及改善,預計將在2016年底推出基于HKMG制程的緊湊加強型版本,為客戶提供更多優化的制程選擇。”

聯芯科技總經理錢國良表示,“聯芯科技始終致力于3G/4G移動互聯網終端核心技術的研發與應用,并堅持與產業鏈合作伙伴一起緊密協作,打造品質一流的芯片產品。此次與中芯國際在28納米HKMG領域的合作,可謂產業協同,強強聯合,將有力地推動國產芯片技術的發展。同時,此舉將直接幫助聯芯科技的芯片產品進一步提升性價比,服務于智能手機、智能汽車,以及機器人等領域,服務‘中國制造2025’。未來,我們還將與中芯國際繼續強化合作,在更先進的技術節點上共同開發高性能的芯片產品。”

關于中芯國際  (SMIC)

中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”,紐交所代號:SMI,港交所股份代號:981),是世界領先的集成電路晶圓代工企業之一,也是中國內地規模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到28納米晶圓代工與技術服務。中芯國際總部位于上海,在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm超大規模晶圓廠;在北京建有一座300mm超大規模晶圓廠,一座控股的300mm先進制程晶圓廠正在開發中;在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本和臺灣地區設立營銷辦事處、提供客戶服務,同時在香港設立了代表處。

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